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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFQA48N20
FQA48N20 Image
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FQA48N20 - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FQA48N20
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FQA48N20
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 200V 48A TO3P
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-3P-3, SC-65-3
Datenblatt
FQA48N20.pdf
vorrätig: 4970

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Anzahl

Spezifikation

FQA48N20 Tech -Spezifikationen
onsemi - FQA48N20 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FQA48N20

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-3P  
Serie QFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 50mOhm @ 24A, 10V  
Verlustleistung (max) 280W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-3P-3, SC-65-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5000 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 130 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 200 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 48A (Tc)  
Grundproduktnummer FQA4  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FQA48N20.

Produkteigenschaften FQA48N20 FQA62N25C FQA44N08 FQA46N15_F109
Artikelnummer FQA48N20 FQA62N25C FQA44N08 FQA46N15_F109
Hersteller onsemi onsemi onsemi onsemi
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 48A (Tc) 62A (Tc) 49.8A (Tc) 50A (Tc)
Verlustleistung (max) 280W (Tc) 298W (Tc) 163W (Tc) 250W (Tc)
Serie QFET® QFET® QFET® QFET®
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Grundproduktnummer FQA4 FQA62 FQA4 FQA4
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Vgs (Max) ±30V ±30V ±25V ±25V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 130 nC @ 10 V 130 nC @ 10 V 50 nC @ 10 V 110 nC @ 10 V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 200 V 250 V 80 V 150 V
Verpackung / Gehäuse TO-3P-3, SC-65-3 TO-3P-3, SC-65-3 TO-3P-3, SC-65-3 TO-3P-3, SC-65-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs 50mOhm @ 24A, 10V 35mOhm @ 31A, 10V 34mOhm @ 24.9A, 10V 42mOhm @ 25A, 10V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Paket Tube Tube Tube Tube
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5000 pF @ 25 V 6280 pF @ 25 V 1430 pF @ 25 V 3250 pF @ 25 V
FET-Merkmal - - - -
Supplier Device-Gehäuse TO-3P TO-3PN TO-3P TO-3P
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

FQA48N20 Datenblatt PDF

Laden Sie FQA48N20 PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FQA48N20 - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Datenblätter
FQA48N20.pdf

Lieferung

Lieferzeit

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Versandkosten

  1. Verwenden Sie Ihr Expresskonto für den Versand, wenn Sie einen haben.
  2. Verwenden Sie unser Konto für die Sendung.In der folgenden Tabelle finden Sie die ungefähren Gebühren.
(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

  1. Globale gemeinsame Versand von DHL / UPS / FEDEX / TNT / EMS / SF, die wir unterstützen.
  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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    +00852 9146 4856

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