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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFQA55N25
FQA55N25 Image
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FQA55N25 - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FQA55N25
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FQA55N25
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 250V 55A TO3PN
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-3P-3, SC-65-3
Datenblatt
FQA55N25.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4980

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Anzahl

Spezifikation

FQA55N25 Tech -Spezifikationen
onsemi - FQA55N25 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FQA55N25

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-3PN  
Serie QFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 40mOhm @ 27.5A, 10V  
Verlustleistung (max) 310W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-3P-3, SC-65-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 6250 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 180 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 250 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 55A (Tc)  
Grundproduktnummer FQA55  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FQA55N25.

Produkteigenschaften FQA55N25 FQA62N25C FQA5N90 FQA5N90
Artikelnummer FQA55N25 FQA62N25C FQA5N90 FQA5N90
Hersteller onsemi Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor onsemi
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±30V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 55A (Tc) 62A (Tc) 5.8A (Tc) 5.8A (Tc)
Grundproduktnummer FQA55 - - FQA5
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Supplier Device-Gehäuse TO-3PN TO-3PN TO-3P TO-3P
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 4V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 6250 pF @ 25 V 6280 pF @ 25 V 1550 pF @ 25 V 1550 pF @ 25 V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss) 250 V 250 V 900 V 900 V
Paket Tube Bulk Tube Tube
FET-Merkmal - - - -
Verlustleistung (max) 310W (Tc) 298W (Tc) 185W (Tc) 185W (Tc)
Serie QFET® QFET® QFET® QFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 40mOhm @ 27.5A, 10V 35mOhm @ 31A, 10V 2.3Ohm @ 2.9A, 10V 2.3Ohm @ 2.9A, 10V
Verpackung / Gehäuse TO-3P-3, SC-65-3 TO-3P-3, SC-65-3 TO-3P-3, SC-65-3 TO-3P-3, SC-65-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 180 nC @ 10 V 130 nC @ 10 V 40 nC @ 10 V 40 nC @ 10 V

FQA55N25 Datenblatt PDF

Laden Sie FQA55N25 PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FQA55N25 - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Logo 17/Aug/2017.pdf Dimension/Color Change 24/Feb/2021.pdf
PCN -Verpackung
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf Packing quantity increase 28/Dec/2020.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Dev EOL 30/Jun/2022.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Assembly Site Transfer 06/Apr/2015.pdf
Datenblätter
FQA55N25.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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