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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFQAF19N60
FQAF19N60 Image
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FQAF19N60 - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FQAF19N60
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FQAF19N60
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 11.2A TO3PF
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-3P-3 Full Pack
Datenblatt
FQAF19N60.pdf
vorrätig: 4340

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Anzahl

Spezifikation

FQAF19N60 Tech -Spezifikationen
onsemi - FQAF19N60 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FQAF19N60

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-3PF  
Serie QFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 380mOhm @ 5.6A, 10V  
Verlustleistung (max) 120W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-3P-3 Full Pack  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3600 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 90 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 11.2A (Tc)  
Grundproduktnummer FQAF1  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FQAF19N60.

Produkteigenschaften FQAF19N60 FQAF27N25 FQAF16N25C FQAF16N25C
Artikelnummer FQAF19N60 FQAF27N25 FQAF16N25C FQAF16N25C
Hersteller onsemi Fairchild Semiconductor onsemi Fairchild Semiconductor
FET-Merkmal - - - -
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 5V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Serie QFET® QFET® QFET® QFET®
Verpackung / Gehäuse TO-3P-3 Full Pack TO-3P-3 Full Pack TO-3P-3 Full Pack TO-3P-3 Full Pack
Grundproduktnummer FQAF1 - FQAF1 -
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V 250 V 250 V 250 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 11.2A (Tc) 19A (Tc) 11.4A (Tc) 11.4A (Tc)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Paket Tube Bulk Tube Tube
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 380mOhm @ 5.6A, 10V 110mOhm @ 9.5A, 10V 270mOhm @ 5.7A, 10V 270mOhm @ 5.7A, 10V
Supplier Device-Gehäuse TO-3PF TO-3PF TO-3PF TO-3PF
Verlustleistung (max) 120W (Tc) 95W (Tc) 73W (Tc) 73W (Tc)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 90 nC @ 10 V 65 nC @ 10 V 53.5 nC @ 10 V 53.5 nC @ 10 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3600 pF @ 25 V 2450 pF @ 25 V 1080 pF @ 25 V 1080 pF @ 25 V

FQAF19N60 Datenblatt PDF

Laden Sie FQAF19N60 PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FQAF19N60 - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi RoHS.pdf
Datenblätter
FQAF19N60.pdf

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Versandkosten

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  2. Verwenden Sie unser Konto für die Sendung.In der folgenden Tabelle finden Sie die ungefähren Gebühren.
(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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