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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFQAF19N60
Fairchild Semiconductor
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FQAF19N60 - Fairchild Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
FQAF19N60
Hersteller
Fairchild (onsemi)
Allelco Artikelnummer
32D-FQAF19N60
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 11.2A TO3PF
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-3P-3 Full Pack
Datenblatt
FQAF19N60.pdf
RoHS Status
vorrätig: 16762

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Anzahl

Spezifikation

FQAF19N60 Tech -Spezifikationen
Fairchild Semiconductor - FQAF19N60 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Fairchild Semiconductor - FQAF19N60

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Fairchild (onsemi)  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-3PF  
Serie QFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 380mOhm @ 5.6A, 10V  
Verlustleistung (max) 120W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-3P-3 Full Pack  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3600 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 90 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 11.2A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Fairchild Semiconductor FQAF19N60.

Produkteigenschaften FQAF19N60 FQAF27N25 FQAF16N25C FQAF16N50
Artikelnummer FQAF19N60 FQAF27N25 FQAF16N25C FQAF16N50
Hersteller Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor onsemi
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±30V
Verpackung / Gehäuse TO-3P-3 Full Pack TO-3P-3 Full Pack TO-3P-3 Full Pack TO-3P-3 Full Pack
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Verlustleistung (max) 120W (Tc) 95W (Tc) 73W (Tc) 110W (Tc)
Paket Tube Bulk Tube Tube
Supplier Device-Gehäuse TO-3PF TO-3PF TO-3PF TO-3PF
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Serie QFET® QFET® QFET® QFET®
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 11.2A (Tc) 19A (Tc) 11.4A (Tc) 11.3A (Tc)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 380mOhm @ 5.6A, 10V 110mOhm @ 9.5A, 10V 270mOhm @ 5.7A, 10V 320mOhm @ 5.65A, 10V
FET-Merkmal - - - -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3600 pF @ 25 V 2450 pF @ 25 V 1080 pF @ 25 V 3000 pF @ 25 V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V 250 V 250 V 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 90 nC @ 10 V 65 nC @ 10 V 53.5 nC @ 10 V 75 nC @ 10 V
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 5V @ 250µA 4V @ 250µA 5V @ 250µA
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole

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Lieferzeit

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Versandkosten

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  2. Verwenden Sie unser Konto für die Sendung.In der folgenden Tabelle finden Sie die ungefähren Gebühren.
(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

  1. Globale gemeinsame Versand von DHL / UPS / FEDEX / TNT / EMS / SF, die wir unterstützen.
  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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Kontaktieren Sie uns, wenn Sie Fragen haben.

mögliche Zahlungsmitteln

Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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  1. Telefon
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