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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFQAF40N25
FQAF40N25 Image
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FQAF40N25 - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FQAF40N25
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FQAF40N25
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 250V 24A TO3PF
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-3P-3 Full Pack
Datenblatt
FQAF40N25.pdf
vorrätig: 4790

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Anzahl

Spezifikation

FQAF40N25 Tech -Spezifikationen
onsemi - FQAF40N25 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FQAF40N25

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-3PF  
Serie QFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 70mOhm @ 12A, 10V  
Verlustleistung (max) 108W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-3P-3 Full Pack  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4000 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 110 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 250 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 24A (Tc)  
Grundproduktnummer FQAF4  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FQAF40N25.

Produkteigenschaften FQAF40N25 FQAF19N60 FQAF5N90 FQAF65N06
Artikelnummer FQAF40N25 FQAF19N60 FQAF5N90 FQAF65N06
Hersteller onsemi onsemi Fairchild Semiconductor onsemi
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 110 nC @ 10 V 90 nC @ 10 V 40 nC @ 10 V 65 nC @ 10 V
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA 4V @ 250µA
Paket Tube Tube Tube Tube
Verpackung / Gehäuse TO-3P-3 Full Pack TO-3P-3 Full Pack TO-3P-3 Full Pack TO-3P-3 Full Pack
Verlustleistung (max) 108W (Tc) 120W (Tc) 90W (Tc) 86W (Tc)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss) 250 V 600 V 900 V 60 V
Grundproduktnummer FQAF4 FQAF1 - FQAF6
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±25V
Supplier Device-Gehäuse TO-3PF TO-3PF TO-3PF TO-3PF
Serie QFET® QFET® QFET® QFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 70mOhm @ 12A, 10V 380mOhm @ 5.6A, 10V 2.3Ohm @ 2.05A, 10V 16mOhm @ 24.5A, 10V
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4000 pF @ 25 V 3600 pF @ 25 V 1550 pF @ 25 V 2410 pF @ 25 V
FET-Merkmal - - - -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 24A (Tc) 11.2A (Tc) 4.1A (Tc) 49A (Tc)

FQAF40N25 Datenblatt PDF

Laden Sie FQAF40N25 PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FQAF40N25 - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Datenblätter
FQAF40N25.pdf

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Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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