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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFQI7N60TU
onsemi
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FQI7N60TU - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FQI7N60TU
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FQI7N60TU
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 7.4A I2PAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Datenblatt
FQB7N60, FQI7N60.pdf
RoHS Status
vorrätig: 41604

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Anzahl

Spezifikation

FQI7N60TU Tech -Spezifikationen
onsemi - FQI7N60TU Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FQI7N60TU

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse I2PAK (TO-262)  
Serie QFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1Ohm @ 3.7A, 10V  
Verlustleistung (max) 3.13W (Ta), 142W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1430 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 38 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 7.4A (Tc)  
Grundproduktnummer FQI7N60  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FQI7N60TU.

Produkteigenschaften FQI7N60TU FQI8N60CTU FQI5N60CTU FQI5N60CTU
Artikelnummer FQI7N60TU FQI8N60CTU FQI5N60CTU FQI5N60CTU
Hersteller onsemi Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor onsemi
Verpackung / Gehäuse TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±30V
Paket Tube Bulk Bulk Tube
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 7.4A (Tc) 7.5A (Tc) 4.5A (Tc) 4.5A (Tc)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 38 nC @ 10 V 36 nC @ 10 V 19 nC @ 10 V 19 nC @ 10 V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V 600 V 600 V 600 V
Supplier Device-Gehäuse I2PAK (TO-262) I2PAK (TO-262) I2PAK (TO-262) I2PAK (TO-262)
FET-Merkmal - - - -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1430 pF @ 25 V 1255 pF @ 25 V 670 pF @ 25 V 670 pF @ 25 V
Grundproduktnummer FQI7N60 FQI8N60 - FQI5N60
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1Ohm @ 3.7A, 10V 1.2Ohm @ 3.75A, 10V 2.5Ohm @ 2.25A, 10V 2.5Ohm @ 2.25A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Serie QFET® QFET® QFET® QFET®
Verlustleistung (max) 3.13W (Ta), 142W (Tc) 3.13W (Ta), 147W (Tc) 3.13W (Ta), 100W (Tc) 3.13W (Ta), 100W (Tc)

FQI7N60TU Datenblatt PDF

Laden Sie FQI7N60TU PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FQI7N60TU - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Logo 17/Aug/2017.pdf
PCN -Verpackung
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf Mult Dev Box Chgs 1/Jul/2021.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Assembly Change 09/May/2023.pdf
Datenblätter
FQB7N60, FQI7N60.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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