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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFQI7N80TU
onsemi
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FQI7N80TU - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FQI7N80TU
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FQI7N80TU
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 800V 6.6A I2PAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Datenblatt
FQI7N80.pdf
RoHS Status
vorrätig: 16157

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Anzahl

Spezifikation

FQI7N80TU Tech -Spezifikationen
onsemi - FQI7N80TU Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FQI7N80TU

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse I2PAK (TO-262)  
Serie QFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.5Ohm @ 3.3A, 10V  
Verlustleistung (max) 3.13W (Ta), 167W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1850 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 52 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 800 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 6.6A (Tc)  
Grundproduktnummer FQI7N80  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FQI7N80TU.

Produkteigenschaften FQI7N80TU FQI7N60TU FQI7N80TU FQI7N60TU
Artikelnummer FQI7N80TU FQI7N60TU FQI7N80TU FQI7N60TU
Hersteller onsemi Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor onsemi
Drain-Source-Spannung (Vdss) 800 V 600 V 800 V 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 52 nC @ 10 V 38 nC @ 10 V 52 nC @ 10 V 38 nC @ 10 V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1850 pF @ 25 V 1430 pF @ 25 V 1850 pF @ 25 V 1430 pF @ 25 V
Verlustleistung (max) 3.13W (Ta), 167W (Tc) 3.13W (Ta), 142W (Tc) 3.13W (Ta), 167W (Tc) 3.13W (Ta), 142W (Tc)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
FET-Merkmal - - - -
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±30V
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 6.6A (Tc) 7.4A (Tc) 6.6A (Tc) 7.4A (Tc)
Supplier Device-Gehäuse I2PAK (TO-262) I2PAK (TO-262) I2PAK (TO-262) I2PAK (TO-262)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Grundproduktnummer FQI7N80 FQI7N60 - FQI7N60
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Paket Tube Bulk Bulk Tube
Verpackung / Gehäuse TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.5Ohm @ 3.3A, 10V 1Ohm @ 3.7A, 10V 1.5Ohm @ 3.3A, 10V 1Ohm @ 3.7A, 10V
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA
Serie QFET® QFET® QFET® QFET®

FQI7N80TU Datenblatt PDF

Laden Sie FQI7N80TU PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FQI7N80TU - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Logo 17/Aug/2017.pdf
PCN -Verpackung
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf Mult Dev Box Chgs 1/Jul/2021.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Dev EOL 30/Jun/2022.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Dev Material Chgs 14/Oct/2020.pdf
Datenblätter
FQI7N80.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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