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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFQI8N60CTU
onsemi
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

FQI8N60CTU - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FQI8N60CTU
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FQI8N60CTU
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 7.5A I2PAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Datenblatt
FQB8N60C, FQI8N60C.pdf
RoHS Status
vorrätig: 3800

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Anzahl

Spezifikation

FQI8N60CTU Tech -Spezifikationen
onsemi - FQI8N60CTU Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FQI8N60CTU

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse I2PAK (TO-262)  
Serie QFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.2Ohm @ 3.75A, 10V  
Verlustleistung (max) 3.13W (Ta), 147W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1255 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 36 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 7.5A (Tc)  
Grundproduktnummer FQI8N60  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FQI8N60CTU.

Produkteigenschaften FQI8N60CTU FQI7N80TU FQI7N60TU FQI7N60TU
Artikelnummer FQI8N60CTU FQI7N80TU FQI7N60TU FQI7N60TU
Hersteller onsemi onsemi Fairchild Semiconductor onsemi
Paket Tube Tube Bulk Tube
Serie QFET® QFET® QFET® QFET®
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 36 nC @ 10 V 52 nC @ 10 V 38 nC @ 10 V 38 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±30V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V 800 V 600 V 600 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.2Ohm @ 3.75A, 10V 1.5Ohm @ 3.3A, 10V 1Ohm @ 3.7A, 10V 1Ohm @ 3.7A, 10V
Verlustleistung (max) 3.13W (Ta), 147W (Tc) 3.13W (Ta), 167W (Tc) 3.13W (Ta), 142W (Tc) 3.13W (Ta), 142W (Tc)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1255 pF @ 25 V 1850 pF @ 25 V 1430 pF @ 25 V 1430 pF @ 25 V
Grundproduktnummer FQI8N60 FQI7N80 FQI7N60 FQI7N60
FET-Merkmal - - - -
Verpackung / Gehäuse TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 7.5A (Tc) 6.6A (Tc) 7.4A (Tc) 7.4A (Tc)
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Supplier Device-Gehäuse I2PAK (TO-262) I2PAK (TO-262) I2PAK (TO-262) I2PAK (TO-262)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel

FQI8N60CTU Datenblatt PDF

Laden Sie FQI8N60CTU PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FQI8N60CTU - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Logo 17/Aug/2017.pdf Passivation Material 26/June/2007.pdf
PCN -Verpackung
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf Mult Dev Box Chgs 1/Jul/2021.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Dev Material Chgs 14/Oct/2020.pdf
Datenblätter
FQB8N60C, FQI8N60C.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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