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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFQL40N50
onsemi
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

FQL40N50 - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FQL40N50
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FQL40N50
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 500V 40A TO264-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-264-3, TO-264AA
Datenblatt
FQL40N50.pdf
RoHS Status
vorrätig: 6739

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Anzahl

Spezifikation

FQL40N50 Tech -Spezifikationen
onsemi - FQL40N50 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FQL40N50

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-264-3  
Serie QFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 110mOhm @ 20A, 10V  
Verlustleistung (max) 460W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-264-3, TO-264AA  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 7500 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 200 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 500 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 40A (Tc)  
Grundproduktnummer FQL40  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FQL40N50.

Produkteigenschaften FQL40N50 HUFA75545P3 HUF75639S3 AO4728
Artikelnummer FQL40N50 HUFA75545P3 HUF75639S3 AO4728
Hersteller onsemi Fairchild Semiconductor onsemi Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Paket Tube Tube Tube Tape & Reel (TR)
Grundproduktnummer FQL40 - HUF75639 AO47
Serie QFET® UltraFET™ UltraFET™ SRFET™
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 4.5V, 10V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Verpackung / Gehäuse TO-264-3, TO-264AA TO-220-3 TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs (Max) ±30V ±20V ±20V ±20V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 7500 pF @ 25 V 3750 pF @ 25 V 2000 pF @ 25 V 4463 pF @ 15 V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 500 V 80 V 100 V 30 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 40A (Tc) 75A (Tc) 56A (Tc) 20A (Tc)
Verlustleistung (max) 460W (Tc) 270W (Tc) 200W (Tc) 3.1W (Ta)
FET-Merkmal - - - Schottky Diode (Body)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 200 nC @ 10 V 235 nC @ 20 V 130 nC @ 20 V 72 nC @ 10 V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 2.2V @ 250µA
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Surface Mount
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse TO-264-3 TO-220-3 I2PAK (TO-262) 8-SOIC
Rds On (Max) @ Id, Vgs 110mOhm @ 20A, 10V 10mOhm @ 75A, 10V 25mOhm @ 56A, 10V 4.3mOhm @ 20A, 10V

FQL40N50 Datenblatt PDF

Laden Sie FQL40N50 PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FQL40N50 - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Logo 17/Aug/2017.pdf
PCN -Verpackung
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Dev EOL 23/Dec/2021.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Wafer Fab Location 30/Nov/2021.pdf

Lieferung

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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