FQL40N50F Tech -Spezifikationen
Fairchild Semiconductor - FQL40N50F Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Fairchild Semiconductor - FQL40N50F

Produkteigenschaften	Eigenschaften
Hersteller	Fairchild (onsemi)
VGS (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Vgs (Max)	±30V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse	HPM F2
Serie	FRFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs	110mOhm @ 20A, 10V
Verlustleistung (max)	460W (Tc)
Verpackung / Gehäuse	TO-264-3, TO-264AA
Paket	Bulk

Produkteigenschaften	Eigenschaften
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	7500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	200 nC @ 10 V
Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	500 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	40A (Tc)

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Fairchild Semiconductor FQL40N50F.

Produkteigenschaften
Artikelnummer	FQL40N50F	SI7106DN-T1-GE3	IXFH70N15	SIHF530STRL-GE3
Hersteller	Fairchild Semiconductor	Vishay Siliconix	IXYS	Vishay Siliconix
Verlustleistung (max)	460W (Tc)	1.5W (Ta)	300W (Tc)	3.7W (Ta), 88W (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V	2.5V, 4.5V	10V	10V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	40A (Tc)	12.5A (Ta)	70A (Tc)	14A (Tc)
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)
Paket	Bulk	Tape & Reel (TR)	Tube	Tape & Reel (TR)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	200 nC @ 10 V	27 nC @ 4.5 V	180 nC @ 10 V	26 nC @ 10 V
FET-Merkmal	-	-	-	-
Drain-Source-Spannung (Vdss)	500 V	20 V	150 V	100 V
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ FET	N-Channel	N-Channel	N-Channel	N-Channel
Verpackung / Gehäuse	TO-264-3, TO-264AA	PowerPAK® 1212-8	TO-247-3	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Supplier Device-Gehäuse	HPM F2	PowerPAK® 1212-8	TO-247AD (IXFH)	D²PAK (TO-263)
Vgs (Max)	±30V	±12V	±20V	±20V
Serie	FRFET®	TrenchFET®	HiPerFET™	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	110mOhm @ 20A, 10V	6.2mOhm @ 19.5A, 4.5V	28mOhm @ 35A, 10V	160mOhm @ 8.4A, 10V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	7500 pF @ 25 V	-	3600 pF @ 25 V	670 pF @ 25 V
VGS (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA	1.5V @ 250µA	4V @ 4mA	4V @ 250µA
Befestigungsart	Through Hole	Surface Mount	Through Hole	Surface Mount

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Region	Land	Logistische Zeit (Tag)
Amerika	Vereinigte Staaten	5
Amerika	Brasilien	7
Europa	Deutschland	5
	Großbritannien	4
	Italien	5
Ozeanien	Australien	6
Ozeanien	Neuseeland	5
Asien	Indien	4
Asien	Japan	4
Naher Osten	Israel	6

DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG)	Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg	USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg	USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg	USD$50.00 - USD$100.00

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