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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFQL40N50F
onsemi
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

FQL40N50F - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FQL40N50F
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FQL40N50F
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 500V 40A TO264-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-264-3, TO-264AA
Datenblatt
FQL40N50F.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4530

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Anzahl

Spezifikation

FQL40N50F Tech -Spezifikationen
onsemi - FQL40N50F Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FQL40N50F

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-264-3  
Serie FRFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 110mOhm @ 20A, 10V  
Verlustleistung (max) 460W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-264-3, TO-264AA  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 7500 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 200 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 500 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 40A (Tc)  
Grundproduktnummer FQL40  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FQL40N50F.

Produkteigenschaften FQL40N50F NTB082N65S3F STD95N4LF3 FDD13AN06A0-F085
Artikelnummer FQL40N50F NTB082N65S3F STD95N4LF3 FDD13AN06A0-F085
Hersteller onsemi onsemi STMicroelectronics onsemi
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 5V, 10V 6V, 10V
Verlustleistung (max) 460W (Tc) 313W (Tc) 110W (Tc) 115W (Tc)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 40A (Tc) 40A (Tc) 80A (Tc) 9.9A (Ta), 50A (Tc)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 500 V 650 V 40 V 60 V
Paket Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
FET-Merkmal - - - -
Verpackung / Gehäuse TO-264-3, TO-264AA TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Supplier Device-Gehäuse TO-264-3 D²PAK (TO-263) DPAK TO-252AA
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Befestigungsart Through Hole Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 200 nC @ 10 V 81 nC @ 10 V 70 nC @ 10 V 29 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 110mOhm @ 20A, 10V 82mOhm @ 20A, 10V 6mOhm @ 40A, 10V 13.5mOhm @ 50A, 10V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 7500 pF @ 25 V 3410 pF @ 400 V 2500 pF @ 25 V 1350 pF @ 25 V
Grundproduktnummer FQL40 NTB082 STD95 FDD13AN06
Vgs (Max) ±30V ±30V ±16V ±20V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 5V @ 4mA 2.5V @ 250µA 4V @ 250µA
Serie FRFET® SuperFET® III STripFET™ III Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®

FQL40N50F Datenblatt PDF

Laden Sie FQL40N50F PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FQL40N50F - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Logo 17/Aug/2017.pdf
PCN -Verpackung
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Dev Assem/Material Chg 10/Oct/2019.pdf
Datenblätter
FQL40N50F.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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