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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFQP11N40
FQP11N40 Image
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FQP11N40 - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FQP11N40
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FQP11N40
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 400V 11.4A TO220-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3
Datenblatt
TO220B03 Pkg Drawing.pdf
FQP11N40.pdf
vorrätig: 4380

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Anzahl

Spezifikation

FQP11N40 Tech -Spezifikationen
onsemi - FQP11N40 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FQP11N40

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220-3  
Serie QFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 480mOhm @ 5.7A, 10V  
Verlustleistung (max) 147W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1400 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 35 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 400 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 11.4A (Tc)  
Grundproduktnummer FQP1  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FQP11N40.

Produkteigenschaften FQP11N40 FQP11P06 FQP11N40C FQP11N50CF
Artikelnummer FQP11N40 FQP11P06 FQP11N40C FQP11N50CF
Hersteller onsemi Fairchild Semiconductor onsemi onsemi
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 480mOhm @ 5.7A, 10V 175mOhm @ 5.7A, 10V 530mOhm @ 5.25A, 10V 550mOhm @ 5.5A, 10V
Supplier Device-Gehäuse TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Drain-Source-Spannung (Vdss) 400 V 60 V 400 V 500 V
Paket Tube Bulk Tube Tube
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Verlustleistung (max) 147W (Tc) 53W (Tc) 135W (Tc) 195W (Tc)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1400 pF @ 25 V 550 pF @ 25 V 1090 pF @ 25 V 2055 pF @ 25 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 11.4A (Tc) 11.4A (Tc) 10.5A (Tc) 11A (Tc)
FET-Merkmal - - - -
Typ FET N-Channel P-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (Max) ±30V ±25V ±30V ±30V
Serie QFET® QFET® QFET® FRFET®
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Grundproduktnummer FQP1 - FQP11 FQP1
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 35 nC @ 10 V 17 nC @ 10 V 35 nC @ 10 V 55 nC @ 10 V

FQP11N40 Datenblatt PDF

Laden Sie FQP11N40 PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FQP11N40 - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Datenblätter
TO220B03 Pkg Drawing.pdf FQP11N40.pdf

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(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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