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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFQP11N50CF
FQP11N50CF Image
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

FQP11N50CF - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FQP11N50CF
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FQP11N50CF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 500V 11A TO220-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3
Datenblatt
TO220B03 Pkg Drawing.pdf
FQP11N50CF, FQPF11N50CF.pdf
vorrätig: 3660

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Spezifikation

FQP11N50CF Tech -Spezifikationen
onsemi - FQP11N50CF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FQP11N50CF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220-3  
Serie FRFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 550mOhm @ 5.5A, 10V  
Verlustleistung (max) 195W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2055 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 55 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 500 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 11A (Tc)  
Grundproduktnummer FQP1  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FQP11N50CF.

Produkteigenschaften FQP11N50CF FQP11N40C FQP11N40 FQP11N50CF
Artikelnummer FQP11N50CF FQP11N40C FQP11N40 FQP11N50CF
Hersteller onsemi Fairchild Semiconductor onsemi Fairchild Semiconductor
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2055 pF @ 25 V 1090 pF @ 25 V 1400 pF @ 25 V 2055 pF @ 25 V
Serie FRFET® QFET® QFET® FRFET®
Supplier Device-Gehäuse TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Drain-Source-Spannung (Vdss) 500 V 400 V 400 V 500 V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Grundproduktnummer FQP1 - FQP1 -
FET-Merkmal - - - -
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 5V @ 250µA 4V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 550mOhm @ 5.5A, 10V 530mOhm @ 5.25A, 10V 480mOhm @ 5.7A, 10V 550mOhm @ 5.5A, 10V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 11A (Tc) 10.5A (Tc) 11.4A (Tc) 11A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Verlustleistung (max) 195W (Tc) 135W (Tc) 147W (Tc) 195W (Tc)
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Paket Tube Bulk Tube Tube
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 55 nC @ 10 V 35 nC @ 10 V 35 nC @ 10 V 55 nC @ 10 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±30V

FQP11N50CF Datenblatt PDF

Laden Sie FQP11N50CF PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FQP11N50CF - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi RoHS.pdf
Datenblätter
TO220B03 Pkg Drawing.pdf FQP11N50CF, FQPF11N50CF.pdf

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  2. Verwenden Sie unser Konto für die Sendung.In der folgenden Tabelle finden Sie die ungefähren Gebühren.
(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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  1. Telefon
    +00852 9146 4856

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