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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFQP11P06
FQP11P06 Image
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FQP11P06 - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FQP11P06
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FQP11P06
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 60V 11.4A TO220-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3
Datenblatt
TO220B03 Pkg Drawing.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4150

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Anzahl

Spezifikation

FQP11P06 Tech -Spezifikationen
onsemi - FQP11P06 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FQP11P06

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±25V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220-3  
Serie QFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 175mOhm @ 5.7A, 10V  
Verlustleistung (max) 53W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 550 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17 nC @ 10 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 11.4A (Tc)  
Grundproduktnummer FQP11  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FQP11P06.

Produkteigenschaften FQP11P06 FQP11P06 FQP11N40 FQP12N60C
Artikelnummer FQP11P06 FQP11P06 FQP11N40 FQP12N60C
Hersteller onsemi Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor onsemi
Grundproduktnummer FQP11 - - FQP12
Vgs (Max) ±25V ±25V ±30V ±30V
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 5V @ 250µA 4V @ 250µA
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 550 pF @ 25 V 550 pF @ 25 V 1400 pF @ 25 V 2290 pF @ 25 V
Paket Tube Bulk Tube Tube
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Serie QFET® QFET® QFET® QFET®
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17 nC @ 10 V 17 nC @ 10 V 35 nC @ 10 V 63 nC @ 10 V
Typ FET P-Channel P-Channel N-Channel N-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V 60 V 400 V 600 V
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Verlustleistung (max) 53W (Tc) 53W (Tc) 147W (Tc) 225W (Tc)
Supplier Device-Gehäuse TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
FET-Merkmal - - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 175mOhm @ 5.7A, 10V 175mOhm @ 5.7A, 10V 480mOhm @ 5.7A, 10V 650mOhm @ 6A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 11.4A (Tc) 11.4A (Tc) 11.4A (Tc) 12A (Tc)

FQP11P06 Datenblatt PDF

Laden Sie FQP11P06 PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FQP11P06 - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Logo 17/Aug/2017.pdf
PCN -Verpackung
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf
Datenblätter
TO220B03 Pkg Drawing.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
MFG Site Addition 09/Mar/2020.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Dev EOL 23/Dec/2021.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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