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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFQP46N15
FQP46N15 Image
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FQP46N15 - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FQP46N15
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FQP46N15
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 150V 45.6A TO220-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3
Datenblatt
TO220B03 Pkg Drawing.pdf
FQP46N15.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4300

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Anzahl

Spezifikation

FQP46N15 Tech -Spezifikationen
onsemi - FQP46N15 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FQP46N15

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±25V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220-3  
Serie QFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 42mOhm @ 22.8A, 10V  
Verlustleistung (max) 210W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3250 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 110 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 150 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 45.6A (Tc)  
Grundproduktnummer FQP46  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FQP46N15.

Produkteigenschaften FQP46N15 FQP4N20L FQP4N25 FQP47P06
Artikelnummer FQP46N15 FQP4N20L FQP4N25 FQP47P06
Hersteller onsemi Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor onsemi
FET-Merkmal - - - -
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 5V, 10V 10V 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 110 nC @ 10 V 5.2 nC @ 5 V 5.6 nC @ 10 V 110 nC @ 10 V
Grundproduktnummer FQP46 - - FQP47
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 45.6A (Tc) 3.8A (Tc) 3.6A (Tc) 47A (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Supplier Device-Gehäuse TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Drain-Source-Spannung (Vdss) 150 V 200 V 250 V 60 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 42mOhm @ 22.8A, 10V 1.35Ohm @ 1.9A, 10V 1.75Ohm @ 1.8A, 10V 26mOhm @ 23.5A, 10V
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 2V @ 250µA 5V @ 250µA 4V @ 250µA
Verlustleistung (max) 210W (Tc) 45W (Tc) 52W (Tc) 160W (Tc)
Vgs (Max) ±25V ±20V ±30V ±25V
Serie QFET® QFET® QFET® QFET®
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3250 pF @ 25 V 310 pF @ 25 V 200 pF @ 25 V 3600 pF @ 25 V
Paket Tube Bulk Tube Tube
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel P-Channel

FQP46N15 Datenblatt PDF

Laden Sie FQP46N15 PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FQP46N15 - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Logo 17/Aug/2017.pdf
PCN -Verpackung
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014.pdf
Datenblätter
TO220B03 Pkg Drawing.pdf FQP46N15.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Dev EOL 23/Dec/2021.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Dev Mold Chg 28/Oct/2019.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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