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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFQP47P06
FQP47P06 Image
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FQP47P06 - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FQP47P06
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FQP47P06
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 60V 47A TO220-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3
Datenblatt
TO220B03 Pkg Drawing.pdf
FQP47P06.pdf
RoHS Status
vorrätig: 18660

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Anzahl

Spezifikation

FQP47P06 Tech -Spezifikationen
onsemi - FQP47P06 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FQP47P06

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±25V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220-3  
Serie QFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 26mOhm @ 23.5A, 10V  
Verlustleistung (max) 160W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3600 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 110 nC @ 10 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 47A (Tc)  
Grundproduktnummer FQP47  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FQP47P06.

Produkteigenschaften FQP47P06 FQP4N60 FQP45N15V2 FQP4N20L
Artikelnummer FQP47P06 FQP4N60 FQP45N15V2 FQP4N20L
Hersteller onsemi onsemi onsemi onsemi
Grundproduktnummer FQP47 FQP4 FQP45 FQP4
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 5V, 10V
Vgs (Max) ±25V ±30V ±30V ±20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 110 nC @ 10 V 20 nC @ 10 V 94 nC @ 10 V 5.2 nC @ 5 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 47A (Tc) 4.4A (Tc) 45A (Tc) 3.8A (Tc)
Paket Tube Tube Tube Tube
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V 600 V 150 V 200 V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3600 pF @ 25 V 670 pF @ 25 V 3030 pF @ 25 V 310 pF @ 25 V
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 5V @ 250µA 4V @ 250µA 2V @ 250µA
Supplier Device-Gehäuse TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Verlustleistung (max) 160W (Tc) 106W (Tc) 220W (Tc) 45W (Tc)
Serie QFET® QFET® QFET® QFET®
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
FET-Merkmal - - - -
Typ FET P-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 26mOhm @ 23.5A, 10V 2.2Ohm @ 2.2A, 10V 40mOhm @ 22.5A, 10V 1.35Ohm @ 1.9A, 10V

FQP47P06 Datenblatt PDF

Laden Sie FQP47P06 PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FQP47P06 - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Logo 17/Aug/2017.pdf Postponed Qualification 27/Dec/2022.pdf Wafer Fab Change 27/Sep/2022.pdf
PCN -Verpackung
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014.pdf
Datenblätter
TO220B03 Pkg Drawing.pdf FQP47P06.pdf

Lieferung

Lieferzeit

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(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

  1. Globale gemeinsame Versand von DHL / UPS / FEDEX / TNT / EMS / SF, die wir unterstützen.
  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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