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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFQPF17N40
FQPF17N40 Image
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FQPF17N40 - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FQPF17N40
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FQPF17N40
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 400V 9.5A TO220F
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3 Full Pack
Datenblatt
FQPF17N40.pdf
vorrätig: 4120

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Anzahl

Spezifikation

FQPF17N40 Tech -Spezifikationen
onsemi - FQPF17N40 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FQPF17N40

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220F-3  
Serie QFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 270mOhm @ 4.75A, 10V  
Verlustleistung (max) 56W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2300 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 60 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 400 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 9.5A (Tc)  
Grundproduktnummer FQPF1  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FQPF17N40.

Produkteigenschaften FQPF17N40 FQPF16N15 FQPF17N40T FQPF15P12
Artikelnummer FQPF17N40 FQPF16N15 FQPF17N40T FQPF15P12
Hersteller onsemi onsemi onsemi onsemi
Paket Tube Tube Tube Tube
Rds On (Max) @ Id, Vgs 270mOhm @ 4.75A, 10V 160mOhm @ 5.8A, 10V 270mOhm @ 4.75A, 10V 200mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs (Max) ±30V ±25V ±30V ±30V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
FET-Merkmal - - - -
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 4V @ 250µA 5V @ 250µA 4V @ 250µA
Serie QFET® QFET® QFET® QFET®
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel P-Channel
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Grundproduktnummer FQPF1 FQPF1 FQPF17 FQPF15
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 60 nC @ 10 V 30 nC @ 10 V 60 nC @ 10 V 38 nC @ 10 V
Supplier Device-Gehäuse TO-220F-3 TO-220F-3 TO-220F-3 TO-220F-3
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2300 pF @ 25 V 910 pF @ 25 V 2300 pF @ 25 V 1100 pF @ 25 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 9.5A (Tc) 11.6A (Tc) 9.5A (Tc) 15A (Tc)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 400 V 150 V 400 V 120 V
Verlustleistung (max) 56W (Tc) 53W (Tc) 56W (Tc) 41W (Tc)
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack

FQPF17N40 Datenblatt PDF

Laden Sie FQPF17N40 PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FQPF17N40 - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Datenblätter
FQPF17N40.pdf

Lieferung

Lieferzeit

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Versandkosten

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  2. Verwenden Sie unser Konto für die Sendung.In der folgenden Tabelle finden Sie die ungefähren Gebühren.
(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

  1. Globale gemeinsame Versand von DHL / UPS / FEDEX / TNT / EMS / SF, die wir unterstützen.
  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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    +00852 9146 4856

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