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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFQPF15P12
Fairchild Semiconductor
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

FQPF15P12 - Fairchild Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
FQPF15P12
Hersteller
Fairchild (onsemi)
Allelco Artikelnummer
32D-FQPF15P12
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
Power Field-Effect Transistor, 1
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3 Full Pack
Datenblatt
FQPF15P12.pdf
vorrätig: 3830

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Anzahl

Spezifikation

FQPF15P12 Tech -Spezifikationen
Fairchild Semiconductor - FQPF15P12 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Fairchild Semiconductor - FQPF15P12

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Fairchild (onsemi)  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220F-3  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 200mOhm @ 7.5A, 10V  
Verlustleistung (max) 41W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack  
Paket Bulk  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1100 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 38 nC @ 10 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 120 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 15A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Fairchild Semiconductor FQPF15P12.

Produkteigenschaften FQPF15P12 FQPF16N15 FQPF17N40 FQPF16N25C
Artikelnummer FQPF15P12 FQPF16N15 FQPF17N40 FQPF16N25C
Hersteller Fairchild Semiconductor onsemi onsemi onsemi
Paket Bulk Tube Tube Tube
Rds On (Max) @ Id, Vgs 200mOhm @ 7.5A, 10V 160mOhm @ 5.8A, 10V 270mOhm @ 4.75A, 10V 270mOhm @ 7.8A, 10V
Typ FET P-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack
Supplier Device-Gehäuse TO-220F-3 TO-220F-3 TO-220F-3 TO-220F-3
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
FET-Merkmal - - - -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1100 pF @ 25 V 910 pF @ 25 V 2300 pF @ 25 V 1080 pF @ 25 V
Vgs (Max) ±30V ±25V ±30V ±30V
Verlustleistung (max) 41W (Tc) 53W (Tc) 56W (Tc) 43W (Tc)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 15A (Tc) 11.6A (Tc) 9.5A (Tc) 15.6A (Tc)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 38 nC @ 10 V 30 nC @ 10 V 60 nC @ 10 V 53.5 nC @ 10 V
Serie - QFET® QFET® QFET®
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 5V @ 250µA 4V @ 250µA
Drain-Source-Spannung (Vdss) 120 V 150 V 400 V 250 V

Lieferung

Lieferzeit

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  2. Verwenden Sie unser Konto für die Sendung.In der folgenden Tabelle finden Sie die ungefähren Gebühren.
(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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    +00852 9146 4856

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