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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFQPF17N40T
FQPF17N40T Image
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

FQPF17N40T - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FQPF17N40T
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FQPF17N40T
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 400V 9.5A TO220F
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3 Full Pack
Datenblatt
FQPF17N40.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4840

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Anzahl

Spezifikation

FQPF17N40T Tech -Spezifikationen
onsemi - FQPF17N40T Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FQPF17N40T

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220F-3  
Serie QFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 270mOhm @ 4.75A, 10V  
Verlustleistung (max) 56W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2300 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 60 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 400 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 9.5A (Tc)  
Grundproduktnummer FQPF17  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FQPF17N40T.

Produkteigenschaften FQPF17N40T FQPF16N25 FQPF16N15 FQPF17P06
Artikelnummer FQPF17N40T FQPF16N25 FQPF16N15 FQPF17P06
Hersteller onsemi onsemi onsemi Fairchild Semiconductor
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel P-Channel
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Serie QFET® QFET® QFET® QFET®
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack
Rds On (Max) @ Id, Vgs 270mOhm @ 4.75A, 10V 230mOhm @ 4.75A, 10V 160mOhm @ 5.8A, 10V 120mOhm @ 6A, 10V
Paket Tube Tube Tube Tube
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V ±30V ±25V ±25V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Verlustleistung (max) 56W (Tc) 50W (Tc) 53W (Tc) 39W (Tc)
Grundproduktnummer FQPF17 FQPF1 FQPF1 -
FET-Merkmal - - - -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 9.5A (Tc) 9.5A (Tc) 11.6A (Tc) 12A (Tc)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2300 pF @ 25 V 1200 pF @ 25 V 910 pF @ 25 V 900 pF @ 25 V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 400 V 250 V 150 V 60 V
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 5V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Supplier Device-Gehäuse TO-220F-3 TO-220F-3 TO-220F-3 TO-220F-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 60 nC @ 10 V 35 nC @ 10 V 30 nC @ 10 V 27 nC @ 10 V

FQPF17N40T Datenblatt PDF

Laden Sie FQPF17N40T PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FQPF17N40T - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Logo 17/Aug/2017.pdf
PCN -Verpackung
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf
Datenblätter
FQPF17N40.pdf

Lieferung

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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    +00852 9146 4856

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