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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFQPF27P06
FQPF27P06 Image
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FQPF27P06 - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FQPF27P06
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FQPF27P06
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 60V 17A TO220F
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3 Full Pack
Datenblatt
FQPF27P06.pdf
RoHS Status
vorrätig: 42870

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Anzahl

Spezifikation

FQPF27P06 Tech -Spezifikationen
onsemi - FQPF27P06 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FQPF27P06

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±25V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220F-3  
Serie QFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 70mOhm @ 8.5A, 10V  
Verlustleistung (max) 47W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1400 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 43 nC @ 10 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 17A (Tc)  
Grundproduktnummer FQPF27  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FQPF27P06.

Produkteigenschaften FQPF27P06 FQPF22N30 FQPF2N30 FQPF28N15
Artikelnummer FQPF27P06 FQPF22N30 FQPF2N30 FQPF28N15
Hersteller onsemi onsemi onsemi onsemi
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 43 nC @ 10 V 60 nC @ 10 V 5 nC @ 10 V 52 nC @ 10 V
Grundproduktnummer FQPF27 FQPF22 FQPF2 FQPF2
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V 300 V 300 V 150 V
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA 4V @ 250µA
Supplier Device-Gehäuse TO-220F-3 TO-220F-3 TO-220F-3 TO-220F-3
Paket Tube Tube Tube Tube
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 17A (Tc) 12A (Tc) 1.34A (Tc) 16.7A (Tc)
Serie QFET® QFET® QFET® QFET®
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack
FET-Merkmal - - - -
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Rds On (Max) @ Id, Vgs 70mOhm @ 8.5A, 10V 160mOhm @ 6A, 10V 3.7Ohm @ 670mA, 10V 90mOhm @ 8.35A, 10V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1400 pF @ 25 V 2200 pF @ 25 V 130 pF @ 25 V 1600 pF @ 25 V
Typ FET P-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (Max) ±25V ±30V ±30V ±25V
Verlustleistung (max) 47W (Tc) 56W (Tc) 16W (Tc) 60W (Tc)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

FQPF27P06 Datenblatt PDF

Laden Sie FQPF27P06 PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FQPF27P06 - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Logo 17/Aug/2017.pdf Postponed Qualification 27/Dec/2022.pdf
PCN -Verpackung
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Assembly/Test Site 14/Dec/2022.pdf
Datenblätter
FQPF27P06.pdf

Lieferung

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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