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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFQPF2N30
FQPF2N30 Image
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FQPF2N30 - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FQPF2N30
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FQPF2N30
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 300V 1.34A TO220F
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3 Full Pack
Datenblatt
FQPF2N30.pdf
vorrätig: 4740

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Anzahl

Spezifikation

FQPF2N30 Tech -Spezifikationen
onsemi - FQPF2N30 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FQPF2N30

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220F-3  
Serie QFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.7Ohm @ 670mA, 10V  
Verlustleistung (max) 16W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 130 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 300 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 1.34A (Tc)  
Grundproduktnummer FQPF2  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FQPF2N30.

Produkteigenschaften FQPF2N30 FQPF27P06 FQPF28N15 FQPF2N60C
Artikelnummer FQPF2N30 FQPF27P06 FQPF28N15 FQPF2N60C
Hersteller onsemi Fairchild Semiconductor onsemi Fairchild Semiconductor
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V - 10V 10V
Vgs (Max) ±30V ±25V ±25V ±30V
Supplier Device-Gehäuse TO-220F-3 TO-220F-3 TO-220F-3 TO-220F-3
Grundproduktnummer FQPF2 - FQPF2 -
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Serie QFET® QFET® QFET® QFET®
Drain-Source-Spannung (Vdss) 300 V 60 V 150 V 600 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Verlustleistung (max) 16W (Tc) 47W (Tc) 60W (Tc) 23W (Tc)
Typ FET N-Channel P-Channel N-Channel N-Channel
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 1.34A (Tc) 17A (Tc) 16.7A (Tc) 2A (Tc)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 130 pF @ 25 V 1400 pF @ 25 V 1600 pF @ 25 V 235 pF @ 25 V
Paket Tube Bulk Tube Bulk
FET-Merkmal - - - -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5 nC @ 10 V 43 nC @ 10 V 52 nC @ 10 V 12 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.7Ohm @ 670mA, 10V 70mOhm @ 8.5A, 10V 90mOhm @ 8.35A, 10V 4.7Ohm @ 1A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)

FQPF2N30 Datenblatt PDF

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Umweltinformationen
onsemi RoHS.pdf
Datenblätter
FQPF2N30.pdf

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  2. Verwenden Sie unser Konto für die Sendung.In der folgenden Tabelle finden Sie die ungefähren Gebühren.
(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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  1. Telefon
    +00852 9146 4856

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