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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFQPF2N60C
FQPF2N60C Image
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FQPF2N60C - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FQPF2N60C
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FQPF2N60C
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 2A TO220F
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3 Full Pack
Datenblatt
FQPF2N60C.pdf
RoHS Status
vorrätig: 3660

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Anzahl

Spezifikation

FQPF2N60C Tech -Spezifikationen
onsemi - FQPF2N60C Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FQPF2N60C

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220F-3  
Serie QFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.7Ohm @ 1A, 10V  
Verlustleistung (max) 23W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 235 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 2A (Tc)  
Grundproduktnummer FQPF2  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FQPF2N60C.

Produkteigenschaften FQPF2N60C FQPF27P06 FQPF2N60C FQPF2N60
Artikelnummer FQPF2N60C FQPF27P06 FQPF2N60C FQPF2N60
Hersteller onsemi onsemi Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12 nC @ 10 V 43 nC @ 10 V 12 nC @ 10 V 11 nC @ 10 V
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 5V @ 250µA
Verlustleistung (max) 23W (Tc) 47W (Tc) 23W (Tc) 28W (Tc)
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Supplier Device-Gehäuse TO-220F-3 TO-220F-3 TO-220F-3 TO-220F-3
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 2A (Tc) 17A (Tc) 2A (Tc) 1.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.7Ohm @ 1A, 10V 70mOhm @ 8.5A, 10V 4.7Ohm @ 1A, 10V 4.7Ohm @ 800mA, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V 60 V 600 V 600 V
Vgs (Max) ±30V ±25V ±30V ±30V
Paket Tube Tube Bulk Tube
Grundproduktnummer FQPF2 FQPF27 - -
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Typ FET N-Channel P-Channel N-Channel N-Channel
FET-Merkmal - - - -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 235 pF @ 25 V 1400 pF @ 25 V 235 pF @ 25 V 350 pF @ 25 V
Serie QFET® QFET® QFET® QFET®

FQPF2N60C Datenblatt PDF

Laden Sie FQPF2N60C PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FQPF2N60C - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Logo 17/Aug/2017.pdf Passivation Material 14/May/2008.pdf
PCN -Verpackung
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Dev EOL 30/Jun/2022.pdf

Lieferung

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Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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