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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFQPF6N60C
FQPF6N60C Image
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

FQPF6N60C - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FQPF6N60C
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FQPF6N60C
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 5.5A TO220F
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3 Full Pack
Datenblatt
FQP(F)6N60C.pdf
vorrätig: 4910

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Anzahl

Spezifikation

FQPF6N60C Tech -Spezifikationen
onsemi - FQPF6N60C Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FQPF6N60C

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220F-3  
Serie QFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2Ohm @ 2.75A, 10V  
Verlustleistung (max) 40W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 810 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 5.5A (Tc)  
Grundproduktnummer FQPF6  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FQPF6N60C.

Produkteigenschaften FQPF6N60C FQPF6N60 FQPF6N40C FQPF6N80
Artikelnummer FQPF6N60C FQPF6N60 FQPF6N40C FQPF6N80
Hersteller onsemi Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor onsemi
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 5.5A (Tc) 3.6A (Tc) 6A (Tc) 3.3A (Tc)
Grundproduktnummer FQPF6 - - FQPF6
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Serie QFET® QFET® QFET® QFET®
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 5V @ 250µA 4V @ 250µA 5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20 nC @ 10 V 25 nC @ 10 V 20 nC @ 10 V 31 nC @ 10 V
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 810 pF @ 25 V 1000 pF @ 25 V 625 pF @ 25 V 1500 pF @ 25 V
FET-Merkmal - - - -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Paket Tube Tube Tube Tube
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V 600 V 400 V 800 V
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2Ohm @ 2.75A, 10V 1.5Ohm @ 1.8A, 10V 1Ohm @ 3A, 10V 1.95Ohm @ 1.65A, 10V
Supplier Device-Gehäuse TO-220F-3 TO-220F-3 TO-220F-3 TO-220F-3
Verlustleistung (max) 40W (Tc) 44W (Tc) 38W (Tc) 51W (Tc)
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole

FQPF6N60C Datenblatt PDF

Laden Sie FQPF6N60C PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FQPF6N60C - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Passivation Material 26/June/2007.pdf
Datenblätter
FQP(F)6N60C.pdf

Lieferung

Lieferzeit

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Versandkosten

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(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

  1. Globale gemeinsame Versand von DHL / UPS / FEDEX / TNT / EMS / SF, die wir unterstützen.
  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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  1. Telefon
    +00852 9146 4856

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