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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFQPF6N70
Fairchild Semiconductor
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FQPF6N70 - Fairchild Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
FQPF6N70
Hersteller
Fairchild (onsemi)
Allelco Artikelnummer
32D-FQPF6N70
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 700V 3.5A TO220F
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3 Full Pack
Datenblatt
FQPF6N70.pdf
RoHS Status
vorrätig: 38451

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Anzahl

Spezifikation

FQPF6N70 Tech -Spezifikationen
Fairchild Semiconductor - FQPF6N70 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Fairchild Semiconductor - FQPF6N70

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Fairchild (onsemi)  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220F-3  
Serie QFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.5Ohm @ 1.75A, 10V  
Verlustleistung (max) 48W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1400 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 40 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 700 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3.5A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Fairchild Semiconductor FQPF6N70.

Produkteigenschaften FQPF6N70 FQPF6N60C FQPF6N60 FQPF6N60C
Artikelnummer FQPF6N70 FQPF6N60C FQPF6N60 FQPF6N60C
Hersteller Fairchild Semiconductor onsemi onsemi Fairchild Semiconductor
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Supplier Device-Gehäuse TO-220F-3 TO-220F-3 TO-220F-3 TO-220F-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 40 nC @ 10 V 20 nC @ 10 V 25 nC @ 10 V 20 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.5Ohm @ 1.75A, 10V 2Ohm @ 2.75A, 10V 1.5Ohm @ 1.8A, 10V 2Ohm @ 2.75A, 10V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1400 pF @ 25 V 810 pF @ 25 V 1000 pF @ 25 V 810 pF @ 25 V
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Verlustleistung (max) 48W (Tc) 40W (Tc) 44W (Tc) 40W (Tc)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3.5A (Tc) 5.5A (Tc) 3.6A (Tc) 5.5A (Tc)
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±30V
Paket Tube Tube Tube Tube
Drain-Source-Spannung (Vdss) 700 V 600 V 600 V 600 V
Serie QFET® QFET® QFET® QFET®
FET-Merkmal - - - -
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 4V @ 250µA 5V @ 250µA 4V @ 250µA
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

Lieferung

Lieferzeit

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Versandkosten

  1. Verwenden Sie Ihr Expresskonto für den Versand, wenn Sie einen haben.
  2. Verwenden Sie unser Konto für die Sendung.In der folgenden Tabelle finden Sie die ungefähren Gebühren.
(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

  1. Globale gemeinsame Versand von DHL / UPS / FEDEX / TNT / EMS / SF, die wir unterstützen.
  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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Kontaktieren Sie uns, wenn Sie Fragen haben.

mögliche Zahlungsmitteln

Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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  1. Telefon
    +00852 9146 4856

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