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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFQPF6N80C
Fairchild Semiconductor
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FQPF6N80C - Fairchild Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
FQPF6N80C
Hersteller
Fairchild (onsemi)
Allelco Artikelnummer
32D-FQPF6N80C
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 5
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3 Full Pack
Datenblatt
FQPF6N80C Datasheet.pdf
vorrätig: 3900

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Anzahl

Spezifikation

FQPF6N80C Tech -Spezifikationen
Fairchild Semiconductor - FQPF6N80C Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Fairchild Semiconductor - FQPF6N80C

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Fairchild (onsemi)  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220F-3  
Serie QFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.5Ohm @ 2.75A, 10V  
Verlustleistung (max) 51W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack  
Paket Bulk  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1310 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 800 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 5.5A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Fairchild Semiconductor FQPF6N80C.

Produkteigenschaften FQPF6N80C FQPF6N60C FQPF6N60 FQPF6N60
Artikelnummer FQPF6N80C FQPF6N60C FQPF6N60 FQPF6N60
Hersteller Fairchild Semiconductor onsemi onsemi Fairchild Semiconductor
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
FET-Merkmal - - - -
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 4V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.5Ohm @ 2.75A, 10V 2Ohm @ 2.75A, 10V 1.5Ohm @ 1.8A, 10V 1.5Ohm @ 1.8A, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 800 V 600 V 600 V 600 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Verlustleistung (max) 51W (Tc) 40W (Tc) 44W (Tc) 44W (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Supplier Device-Gehäuse TO-220F-3 TO-220F-3 TO-220F-3 TO-220F-3
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1310 pF @ 25 V 810 pF @ 25 V 1000 pF @ 25 V 1000 pF @ 25 V
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Serie QFET® QFET® QFET® QFET®
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±30V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30 nC @ 10 V 20 nC @ 10 V 25 nC @ 10 V 25 nC @ 10 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 5.5A (Tc) 5.5A (Tc) 3.6A (Tc) 3.6A (Tc)
Paket Bulk Tube Tube Tube

FQPF6N80C Datenblatt PDF

Laden Sie FQPF6N80C PDF -Datenblätter und Fairchild Semiconductor -Dokumentation für FQPF6N80C - Fairchild Semiconductor herunter.

Datenblätter
FQPF6N80C Datasheet.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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