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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFQPF7N10
FQPF7N10 Image
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FQPF7N10 - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FQPF7N10
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FQPF7N10
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 5.5A TO220F
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3 Full Pack
Datenblatt
FQPF7N10.pdf
vorrätig: 5380

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Anzahl

Spezifikation

FQPF7N10 Tech -Spezifikationen
onsemi - FQPF7N10 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FQPF7N10

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±25V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220F-3  
Serie QFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 350mOhm @ 2.75A, 10V  
Verlustleistung (max) 23W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 250 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7.5 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 5.5A (Tc)  
Grundproduktnummer FQPF7  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FQPF7N10.

Produkteigenschaften FQPF7N10 FQPF6P25 FQPF7N80 FQPF70N10
Artikelnummer FQPF7N10 FQPF6P25 FQPF7N80 FQPF70N10
Hersteller onsemi Fairchild Semiconductor onsemi onsemi
Rds On (Max) @ Id, Vgs 350mOhm @ 2.75A, 10V 1.1Ohm @ 2.1A, 10V 1.5Ohm @ 1.9A, 10V 23mOhm @ 17.5A, 10V
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA 4V @ 250µA
Paket Tube Tube Tube Tube
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Typ FET N-Channel P-Channel N-Channel N-Channel
Grundproduktnummer FQPF7 - FQPF7 FQPF70
Verlustleistung (max) 23W (Tc) 45W (Tc) 56W (Tc) 62W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Vgs (Max) ±25V ±30V ±30V ±25V
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
FET-Merkmal - - - -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7.5 nC @ 10 V 27 nC @ 10 V 52 nC @ 10 V 110 nC @ 10 V
Serie QFET® QFET® QFET® QFET®
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 5.5A (Tc) 4.2A (Tc) 3.8A (Tc) 35A (Tc)
Supplier Device-Gehäuse TO-220F-3 TO-220F-3 TO-220F-3 TO-220F-3
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 250 pF @ 25 V 780 pF @ 25 V 1850 pF @ 25 V 3300 pF @ 25 V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V 250 V 800 V 100 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V

FQPF7N10 Datenblatt PDF

Laden Sie FQPF7N10 PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FQPF7N10 - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Datenblätter
FQPF7N10.pdf

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Lieferzeit

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Versandkosten

  1. Verwenden Sie Ihr Expresskonto für den Versand, wenn Sie einen haben.
  2. Verwenden Sie unser Konto für die Sendung.In der folgenden Tabelle finden Sie die ungefähren Gebühren.
(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

  1. Globale gemeinsame Versand von DHL / UPS / FEDEX / TNT / EMS / SF, die wir unterstützen.
  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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