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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFQPF6N90C
FQPF6N90C Image
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FQPF6N90C - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FQPF6N90C
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FQPF6N90C
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 900V 6A TO220F
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3 Full Pack
Datenblatt
FQP6N90C, FQPF6N90C.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4230

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Anzahl

Spezifikation

FQPF6N90C Tech -Spezifikationen
onsemi - FQPF6N90C Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FQPF6N90C

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220F-3  
Serie QFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.3Ohm @ 3A, 10V  
Verlustleistung (max) 56W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1770 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 40 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 900 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 6A (Tc)  
Grundproduktnummer FQPF6  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FQPF6N90C.

Produkteigenschaften FQPF6N90C FQPF70N10 FQPF6N80T FQPF70N10
Artikelnummer FQPF6N90C FQPF70N10 FQPF6N80T FQPF70N10
Hersteller onsemi Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor onsemi
Verlustleistung (max) 56W (Tc) 62W (Tc) 51W (Tc) 62W (Tc)
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack
Vgs (Max) ±30V ±25V ±30V ±25V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 6A (Tc) 35A (Tc) 3.3A (Tc) 35A (Tc)
Serie QFET® QFET® QFET® QFET®
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.3Ohm @ 3A, 10V 23mOhm @ 17.5A, 10V 1.95Ohm @ 1.65A, 10V 23mOhm @ 17.5A, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 900 V 100 V 800 V 100 V
Supplier Device-Gehäuse TO-220F-3 TO-220F-3 TO-220F-3 TO-220F-3
Paket Tube Bulk Bulk Tube
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 4V @ 250µA 5V @ 250µA 4V @ 250µA
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Grundproduktnummer FQPF6 - - FQPF70
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 40 nC @ 10 V 110 nC @ 10 V 31 nC @ 10 V 110 nC @ 10 V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1770 pF @ 25 V 3300 pF @ 25 V 1500 pF @ 25 V 3300 pF @ 25 V
FET-Merkmal - - - -
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)

FQPF6N90C Datenblatt PDF

Laden Sie FQPF6N90C PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FQPF6N90C - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Logo 17/Aug/2017.pdf Passivation Material 26/June/2007.pdf
PCN -Verpackung
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Dev EOL 23/Dec/2021.pdf
Datenblätter
FQP6N90C, FQPF6N90C.pdf

Lieferung

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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    +00852 9146 4856

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