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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFQPF6P25
Fairchild Semiconductor
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

FQPF6P25 - Fairchild Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
FQPF6P25
Hersteller
Fairchild (onsemi)
Allelco Artikelnummer
32D-FQPF6P25
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 250V 4.2A TO220F
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3 Full Pack
Datenblatt
FQPF6P25.pdf
RoHS Status
vorrätig: 45610

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Anzahl

Spezifikation

FQPF6P25 Tech -Spezifikationen
Fairchild Semiconductor - FQPF6P25 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Fairchild Semiconductor - FQPF6P25

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Fairchild (onsemi)  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220F-3  
Serie QFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.1Ohm @ 2.1A, 10V  
Verlustleistung (max) 45W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 780 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 27 nC @ 10 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 250 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 4.2A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Fairchild Semiconductor FQPF6P25.

Produkteigenschaften FQPF6P25 FQPF6N80T FQPF70N10 FQPF6P25
Artikelnummer FQPF6P25 FQPF6N80T FQPF70N10 FQPF6P25
Hersteller Fairchild Semiconductor onsemi Fairchild Semiconductor onsemi
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 780 pF @ 25 V 1500 pF @ 25 V 3300 pF @ 25 V 780 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 27 nC @ 10 V 31 nC @ 10 V 110 nC @ 10 V 27 nC @ 10 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 4.2A (Tc) 3.3A (Tc) 35A (Tc) 4.2A (Tc)
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack
Typ FET P-Channel N-Channel N-Channel P-Channel
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Verlustleistung (max) 45W (Tc) 51W (Tc) 62W (Tc) 45W (Tc)
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 5V @ 250µA 4V @ 250µA 5V @ 250µA
Drain-Source-Spannung (Vdss) 250 V 800 V 100 V 250 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Paket Tube Tube Bulk Tube
Serie QFET® QFET® QFET® QFET®
Vgs (Max) ±30V ±30V ±25V ±30V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Supplier Device-Gehäuse TO-220F-3 TO-220F-3 TO-220F-3 TO-220F-3
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
FET-Merkmal - - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.1Ohm @ 2.1A, 10V 1.95Ohm @ 1.65A, 10V 23mOhm @ 17.5A, 10V 1.1Ohm @ 2.1A, 10V

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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