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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-Bipolar (BJT)-EinzelFZT649
onsemi
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FZT649 - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FZT649
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FZT649
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
TRANS NPN 25V 3A SOT223-4
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-261-4, TO-261AA
Datenblatt
FZT649.pdf
RoHS Status
vorrätig: 175430

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Anzahl

Spezifikation

FZT649 Tech -Spezifikationen
onsemi - FZT649 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FZT649

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 25 V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 600mV @ 300mA, 3A  
Transistor-Typ NPN  
Supplier Device-Gehäuse SOT-223-4  
Serie -  
Leistung - max 2 W  
Verpackung / Gehäuse TO-261-4, TO-261AA  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Paket Tape & Reel (TR)  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Frequenz - Übergang 150MHz  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 100 @ 1A, 2V  
Strom - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 3 A  
Grundproduktnummer FZT6  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FZT649.

Produkteigenschaften FZT649 FZT605TA FZT649TA FZT600BTA
Artikelnummer FZT649 FZT605TA FZT649TA FZT600BTA
Hersteller onsemi Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
Strom - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO) 10µA 100nA (ICBO) 10µA
Strom - Kollektor (Ic) (max) 3 A 1.5 A 3 A 2 A
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Frequenz - Übergang 150MHz 150MHz 240MHz 250MHz
Supplier Device-Gehäuse SOT-223-4 SOT-223-3 SOT-223-3 SOT-223-3
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 25 V 120 V 25 V 140 V
Grundproduktnummer FZT6 FZT605 FZT649 FZT600
Serie - - - -
Verpackung / Gehäuse TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA
Leistung - max 2 W 2 W 2 W 2 W
Transistor-Typ NPN NPN - Darlington NPN NPN - Darlington
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 100 @ 1A, 2V 2000 @ 1A, 5V 100 @ 1A, 2V 10000 @ 500mA, 10V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 600mV @ 300mA, 3A 1.5V @ 1mA, 1A 600mV @ 300mA, 3A 1.2V @ 10mA, 1A

FZT649 Datenblatt PDF

Laden Sie FZT649 PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FZT649 - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Verpackung
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Marking Change 07/Oct/2022.pdf Marking Change 17/Nov/2021.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Dev 15/Feb/2023.pdf
Datenblätter
FZT649.pdf

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Lieferzeit

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(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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