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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-Bipolar (BJT)-EinzelFZT649TA
Diodes Incorporated
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

FZT649TA - Diodes Incorporated

Hersteller Artikelnummer
FZT649TA
Hersteller
Diodes Incorporated
Allelco Artikelnummer
32D-FZT649TA
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
TRANS NPN 25V 3A SOT223-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-261-4, TO-261AA
Datenblatt
FZT649.pdf
RoHS Status
vorrätig: 145830

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Anzahl

Spezifikation

FZT649TA Tech -Spezifikationen
Diodes Incorporated - FZT649TA Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Diodes Incorporated - FZT649TA

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Diodes Incorporated  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 25 V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 600mV @ 300mA, 3A  
Transistor-Typ NPN  
Supplier Device-Gehäuse SOT-223-3  
Serie -  
Leistung - max 2 W  
Verpackung / Gehäuse TO-261-4, TO-261AA  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Paket Tape & Reel (TR)  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Frequenz - Übergang 240MHz  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 100 @ 1A, 2V  
Strom - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 3 A  
Grundproduktnummer FZT649  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Diodes Incorporated FZT649TA.

Produkteigenschaften FZT649TA FZT603TA FZT651TA FZT651QTA
Artikelnummer FZT649TA FZT603TA FZT651TA FZT651QTA
Hersteller Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 600mV @ 300mA, 3A 1.13V @ 20mA, 2A 600mV @ 300mA, 3A 600mV @ 300mA, 3A
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Strom - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO) 10µA 100nA (ICBO) 100nA (ICBO)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Supplier Device-Gehäuse SOT-223-3 SOT-223-3 SOT-223-3 SOT-223-3
Strom - Kollektor (Ic) (max) 3 A 2 A 3 A 3 A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 25 V 80 V 60 V 60 V
Transistor-Typ NPN NPN - Darlington NPN NPN
Grundproduktnummer FZT649 FZT603 FZT651 FZT651
Leistung - max 2 W 2 W 2 W 3 W
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 100 @ 1A, 2V 5000 @ 500mA, 5V 100 @ 500mA, 2V 100 @ 500mA, 2V
Verpackung / Gehäuse TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA
Frequenz - Übergang 240MHz 150MHz 175MHz 175MHz
Serie - - - Automotive, AEC-Q101

FZT649TA Datenblatt PDF

Laden Sie FZT649TA PDF -Datenblätter und Diodes Incorporated -Dokumentation für FZT649TA - Diodes Incorporated herunter.

Umweltinformationen
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
PCN Andere
Multiple Device Changes 29/Apr/2013.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Date Code Mark Update 13/Jan/2015.pdf Die Layover Addition 19/Aug/2016.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Devices Rev 21/Apr/2017.pdf
Datenblätter
FZT649.pdf

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Lieferzeit

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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