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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-Bipolar (BJT)-EinzelFZT651QTC
Diodes Incorporated
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

FZT651QTC - Diodes Incorporated

Hersteller Artikelnummer
FZT651QTC
Hersteller
Diodes Incorporated
Allelco Artikelnummer
32D-FZT651QTC
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
PWR MID PERF TRANSISTOR SOT223 T
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-261-4, TO-261AA
Datenblatt
FZT651Q.pdf
vorrätig: 153110

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Spezifikation

FZT651QTC Tech -Spezifikationen
Diodes Incorporated - FZT651QTC Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Diodes Incorporated - FZT651QTC

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Diodes Incorporated  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 60 V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 600mV @ 300mA, 3A  
Transistor-Typ NPN  
Supplier Device-Gehäuse SOT-223-3  
Serie Automotive, AEC-Q101  
Leistung - max 2 W  
Verpackung / Gehäuse TO-261-4, TO-261AA  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Paket Tape & Reel (TR)  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Frequenz - Übergang 175MHz  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 100 @ 500mA, 2V  
Strom - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 3 A  
Grundproduktnummer FZT651  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Diodes Incorporated FZT651QTC.

Produkteigenschaften FZT651QTC FZT651TC FZT649TA FZT605TA
Artikelnummer FZT651QTC FZT651TC FZT649TA FZT605TA
Hersteller Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
Serie Automotive, AEC-Q101 - - -
Frequenz - Übergang 175MHz 175MHz 240MHz 150MHz
Transistor-Typ NPN NPN NPN NPN - Darlington
Strom - Kollektor (Ic) (max) 3 A 3 A 3 A 1.5 A
Verpackung / Gehäuse TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 600mV @ 300mA, 3A 600mV @ 300mA, 3A 600mV @ 300mA, 3A 1.5V @ 1mA, 1A
Supplier Device-Gehäuse SOT-223-3 SOT-223-3 SOT-223-3 SOT-223-3
Strom - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO) 100nA (ICBO) 100nA (ICBO) 10µA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 60 V 60 V 25 V 120 V
Leistung - max 2 W 2 W 2 W 2 W
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 100 @ 500mA, 2V 100 @ 500mA, 2V 100 @ 1A, 2V 2000 @ 1A, 5V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Grundproduktnummer FZT651 FZT651 FZT649 FZT605
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount

FZT651QTC Datenblatt PDF

Laden Sie FZT651QTC PDF -Datenblätter und Diodes Incorporated -Dokumentation für FZT651QTC - Diodes Incorporated herunter.

Umweltinformationen
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
Datenblätter
FZT651Q.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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    +00852 9146 4856

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