Spezifikation
HGTD1N120BNS9A Tech -Spezifikationen
onsemi - HGTD1N120BNS9A Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - HGTD1N120BNS9A
| Produkteigenschaften |
Eigenschaften
| |
| Hersteller |
onsemi |
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| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) |
1200 V |
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| VCE (on) (Max) @ Vge, Ic |
2.9V @ 15V, 1A |
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| Testbedingung |
960V, 1A, 82Ohm, 15V |
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| Td (ein / aus) bei 25 ° C |
15ns/67ns |
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| Schaltenergie |
70µJ (on), 90µJ (off) |
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| Supplier Device-Gehäuse |
TO-252AA |
|
| Serie |
- |
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| Leistung - max |
60 W |
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| Verpackung / Gehäuse |
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
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| Produkteigenschaften |
Eigenschaften
| |
| Paket |
Tape & Reel (TR) |
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| Betriebstemperatur |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
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| Befestigungsart |
Surface Mount |
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| Eingabetyp |
Standard |
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| IGBT-Typ |
NPT |
|
| Gate-Ladung |
14 nC |
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| Strom - Collector Pulsed (Icm) |
6 A |
|
| Strom - Kollektor (Ic) (max) |
5.3 A |
|
| Grundproduktnummer |
HGTD1N120 |
|
Lieferung
Lieferzeit
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(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)
Versandart
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| Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder |
| Region |
Land |
Logistische Zeit (Tag) |
| Amerika |
Vereinigte Staaten |
5 |
| Brasilien |
7 |
| Europa |
Deutschland |
5 |
| Großbritannien |
4 |
| Italien |
5 |
| Ozeanien |
Australien |
6 |
| Neuseeland |
5 |
| Asien |
Indien |
4 |
| Japan |
4 |
| Naher Osten |
Israel |
6 |
| DHL & FedEx -Versandkosten Referenz |
| Versandkosten (KG) |
Referenz DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg |
USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg |
USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg |
USD$50.00 - USD$100.00 |
- Notiz:
- Die obige Tabelle dient nur als Referenz.Möglicherweise gibt es einige Datenverzerrungen für die unkontrollierbaren Faktoren.
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HGT4E20N60A4DSIntersil (Renesas Electronics Corporation)
HGT1S7N60C3DS9AonsemiIGBT 600V 14A 60W TO263AB
HGTG10N120BNDonsemiIGBT NPT 1200V 35A TO247-3