Spezifikation
HGT1S7N60C3D Tech -Spezifikationen
Fairchild Semiconductor - HGT1S7N60C3D Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Fairchild Semiconductor - HGT1S7N60C3D
| Produkteigenschaften |
Eigenschaften
| |
| Hersteller |
Fairchild (onsemi) |
|
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) |
600 V |
|
| VCE (on) (Max) @ Vge, Ic |
2V @ 15V, 7A |
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| Testbedingung |
- |
|
| Td (ein / aus) bei 25 ° C |
- |
|
| Schaltenergie |
- |
|
| Supplier Device-Gehäuse |
I2PAK (TO-262) |
|
| Serie |
- |
|
| Rückwärts-Erholzeit (Trr) |
25 ns |
|
| Leistung - max |
60 W |
|
| Produkteigenschaften |
Eigenschaften
| |
| Verpackung / Gehäuse |
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
|
| Paket |
Bulk |
|
| Betriebstemperatur |
-40°C ~ 150°C (TJ) |
|
| Befestigungsart |
Through Hole |
|
| Eingabetyp |
Standard |
|
| IGBT-Typ |
- |
|
| Gate-Ladung |
38 nC |
|
| Strom - Collector Pulsed (Icm) |
56 A |
|
| Strom - Kollektor (Ic) (max) |
14 A |
|
Lieferung
Lieferzeit
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(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)
Versandart
- Globale gemeinsame Versand von DHL / UPS / FEDEX / TNT / EMS / SF, die wir unterstützen.
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| Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder |
| Region |
Land |
Logistische Zeit (Tag) |
| Amerika |
Vereinigte Staaten |
5 |
| Brasilien |
7 |
| Europa |
Deutschland |
5 |
| Großbritannien |
4 |
| Italien |
5 |
| Ozeanien |
Australien |
6 |
| Neuseeland |
5 |
| Asien |
Indien |
4 |
| Japan |
4 |
| Naher Osten |
Israel |
6 |
| DHL & FedEx -Versandkosten Referenz |
| Versandkosten (KG) |
Referenz DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg |
USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg |
USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg |
USD$50.00 - USD$100.00 |
- Notiz:
- Die obige Tabelle dient nur als Referenz.Möglicherweise gibt es einige Datenverzerrungen für die unkontrollierbaren Faktoren.
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HGTD7N60C3S9AonsemiIGBT 600V 14A TO252AA
HGT4E20N60A4DSIntersil (Renesas Electronics Corporation)