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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-IGBTs-EinzelHGTD7N60C3S9A
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HGTD7N60C3S9A - onsemi

Hersteller Artikelnummer
HGTD7N60C3S9A
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-HGTD7N60C3S9A
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
IGBT 600V 14A TO252AA
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Datenblatt
HGTD7N60C3S, HGTP7N60C3.pdf
RoHS Status
vorrätig: 37590

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Anzahl

Spezifikation

HGTD7N60C3S9A Tech -Spezifikationen
onsemi - HGTD7N60C3S9A Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - HGTD7N60C3S9A

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 600 V  
VCE (on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 7A  
Testbedingung -  
Td (ein / aus) bei 25 ° C -  
Schaltenergie 165µJ (on), 600µJ (off)  
Supplier Device-Gehäuse TO-252AA  
Serie -  
Leistung - max 60 W  
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Paket Tape & Reel (TR)  
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabetyp Standard  
IGBT-Typ -  
Gate-Ladung 23 nC  
Strom - Collector Pulsed (Icm) 56 A  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 14 A  
Grundproduktnummer HGTD7N60  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi HGTD7N60C3S9A.

Produkteigenschaften HGTD7N60C3S9A HGT1S7N60C3DS9A HGTG10N120BND HGTG12N60A4
Artikelnummer HGTD7N60C3S9A HGT1S7N60C3DS9A HGTG10N120BND HGTG12N60A4
Hersteller onsemi onsemi onsemi onsemi
Strom - Collector Pulsed (Icm) 56 A 56 A 80 A 96 A
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Through Hole Through Hole
VCE (on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 7A 2V @ 15V, 7A 2.7V @ 15V, 10A 2.7V @ 15V, 12A
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube Tube
Eingabetyp Standard Standard Standard Standard
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) - -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Leistung - max 60 W 60 W 298 W 167 W
Grundproduktnummer HGTD7N60 HGT1S7N60 HGTG10N120 HGTG12N60
Gate-Ladung 23 nC 23 nC 100 nC 78 nC
Schaltenergie 165µJ (on), 600µJ (off) 165µJ (on), 600µJ (off) 850µJ (on), 800µJ (off) 55µJ (on), 50µJ (off)
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 600 V 600 V 1200 V 600 V
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-247-3 TO-247-3
Supplier Device-Gehäuse TO-252AA D²PAK (TO-263) TO-247-3 TO-247-3
Td (ein / aus) bei 25 ° C - - 23ns/165ns 17ns/96ns
Serie - - - -
Strom - Kollektor (Ic) (max) 14 A 14 A 35 A 54 A
Testbedingung - 480V, 7A, 50Ohm, 15V 960V, 10A, 10Ohm, 15V 390V, 12A, 10Ohm, 15V
IGBT-Typ - - NPT -

HGTD7N60C3S9A Datenblatt PDF

Laden Sie HGTD7N60C3S9A PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für HGTD7N60C3S9A - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Logo 17/Aug/2017.pdf Description Chg 01/Apr/2016.pdf
PCN -Verpackung
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Dev EOL 8/Apr/2021.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Dev 13/Aug/2020.pdf
Datenblätter
HGTD7N60C3S, HGTP7N60C3.pdf

Lieferung

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Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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