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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelHUF76439S3S
HUF76439S3S Image
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HUF76439S3S - onsemi

Hersteller Artikelnummer
HUF76439S3S
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-HUF76439S3S
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Datenblatt
HUF76439P3, HUF76439S3S.pdf
vorrätig: 4240

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Spezifikation

HUF76439S3S Tech -Spezifikationen
onsemi - HUF76439S3S Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - HUF76439S3S

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±16V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse D²PAK (TO-263)  
Serie UltraFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12mOhm @ 75A, 10V  
Verlustleistung (max) 180W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2745 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 84 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 75A (Tc)  
Grundproduktnummer HUF76  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi HUF76439S3S.

Produkteigenschaften HUF76439S3S HUF76437S3S HUF76609D3S HUF76445S3S
Artikelnummer HUF76439S3S HUF76437S3S HUF76609D3S HUF76445S3S
Hersteller onsemi Fairchild Semiconductor onsemi Fairchild Semiconductor
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 84 nC @ 10 V 71 nC @ 10 V 16 nC @ 10 V 150 nC @ 10 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Verlustleistung (max) 180W (Tc) 155W (Tc) 49W (Tc) 310W (Tc)
Vgs (Max) ±16V ±16V ±16V ±16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12mOhm @ 75A, 10V 14mOhm @ 71A, 10V 160mOhm @ 10A, 10V 6.5mOhm @ 75A, 10V
Grundproduktnummer HUF76 - HUF76 -
Supplier Device-Gehäuse D²PAK (TO-263) D2PAK (TO-263) TO-252AA D2PAK (TO-263)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Serie UltraFET™ UltraFET™ UltraFET™ UltraFET™
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Paket Tube Tube Tube Tube
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2745 pF @ 25 V 2230 pF @ 25 V 425 pF @ 25 V 4965 pF @ 25 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 75A (Tc) 71A (Tc) 10A (Tc) 75A (Tc)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA
FET-Merkmal - - - -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V 60 V 100 V 60 V

HUF76439S3S Datenblatt PDF

Laden Sie HUF76439S3S PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für HUF76439S3S - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Datenblätter
HUF76439P3, HUF76439S3S.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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