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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelHUF76609D3S
HUF76609D3S Image
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HUF76609D3S - onsemi

Hersteller Artikelnummer
HUF76609D3S
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-HUF76609D3S
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Datenblatt
HUF76609D3, HUF76609D3S.pdf
vorrätig: 4290

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Spezifikation

HUF76609D3S Tech -Spezifikationen
onsemi - HUF76609D3S Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - HUF76609D3S

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±16V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-252AA  
Serie UltraFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 160mOhm @ 10A, 10V  
Verlustleistung (max) 49W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 425 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 16 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 10A (Tc)  
Grundproduktnummer HUF76  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi HUF76609D3S.

Produkteigenschaften HUF76609D3S HUF76609D3ST HUF76609D3ST HUF76443P3
Artikelnummer HUF76609D3S HUF76609D3ST HUF76609D3ST HUF76443P3
Hersteller onsemi Fairchild Semiconductor onsemi Fairchild Semiconductor
FET-Merkmal - - - -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Paket Tube Bulk Tape & Reel (TR) Tube
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 16 nC @ 10 V 16 nC @ 10 V 16 nC @ 10 V 129 nC @ 10 V
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-220-3
Vgs (Max) ±16V ±16V ±16V ±16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 160mOhm @ 10A, 10V 160mOhm @ 10A, 10V 160mOhm @ 10A, 10V 8mOhm @ 75A, 10V
Grundproduktnummer HUF76 - HUF76609 -
Serie UltraFET™ UltraFET™ UltraFET™ UltraFET™
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Through Hole
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 425 pF @ 25 V 425 pF @ 25 V 425 pF @ 25 V 4115 pF @ 25 V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V 100 V 100 V 60 V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse TO-252AA TO-252, (D-Pak) TO-252AA TO-220-3
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 10A (Tc) 10A (Tc) 10A (Tc) 75A (Tc)
Verlustleistung (max) 49W (Tc) 49W (Tc) 49W (Tc) 260W (Tc)

HUF76609D3S Datenblatt PDF

Laden Sie HUF76609D3S PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für HUF76609D3S - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi RoHS.pdf
Datenblätter
HUF76609D3, HUF76609D3S.pdf

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  2. Verwenden Sie unser Konto für die Sendung.In der folgenden Tabelle finden Sie die ungefähren Gebühren.
(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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