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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelHUF76439S3ST
HUF76439S3ST Image
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HUF76439S3ST - onsemi

Hersteller Artikelnummer
HUF76439S3ST
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-HUF76439S3ST
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Datenblatt
HUF76439S3S.pdf
RoHS Status
vorrätig: 22455

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Anzahl

Spezifikation

HUF76439S3ST Tech -Spezifikationen
onsemi - HUF76439S3ST Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - HUF76439S3ST

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±16V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse D²PAK (TO-263)  
Serie UltraFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12mOhm @ 75A, 10V  
Verlustleistung (max) 180W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2745 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 84 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 75A (Tc)  
Grundproduktnummer HUF76439  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi HUF76439S3ST.

Produkteigenschaften HUF76439S3ST HUF76437S3ST HUF76609D3S HUF76443P3
Artikelnummer HUF76439S3ST HUF76437S3ST HUF76609D3S HUF76443P3
Hersteller onsemi Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor
Supplier Device-Gehäuse D²PAK (TO-263) D2PAK (TO-263) TO-252, (D-Pak) TO-220-3
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Verlustleistung (max) 180W (Tc) 155W (Tc) 49W (Tc) 260W (Tc)
Paket Tape & Reel (TR) Bulk Tube Tube
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 75A (Tc) 71A (Tc) 10A (Tc) 75A (Tc)
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-220-3
Grundproduktnummer HUF76439 - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12mOhm @ 75A, 10V 14mOhm @ 71A, 10V 160mOhm @ 10A, 10V 8mOhm @ 75A, 10V
Serie UltraFET™ UltraFET™ UltraFET™ UltraFET™
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
FET-Merkmal - - - -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Through Hole
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V 60 V 100 V 60 V
Vgs (Max) ±16V ±16V ±16V ±16V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2745 pF @ 25 V 2230 pF @ 25 V 425 pF @ 25 V 4115 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 84 nC @ 10 V 71 nC @ 10 V 16 nC @ 10 V 129 nC @ 10 V

HUF76439S3ST Datenblatt PDF

Laden Sie HUF76439S3ST PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für HUF76439S3ST - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Logo 17/Aug/2017.pdf Description Chg 01/Apr/2016.pdf
PCN -Verpackung
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf Mult Dev Box Chgs 1/Jul/2021.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Assembly Change 09/May/2023.pdf
Datenblätter
HUF76439S3S.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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