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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelHUF76619D3S
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HUF76619D3S - onsemi

Hersteller Artikelnummer
HUF76619D3S
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-HUF76619D3S
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 18A TO252AA
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Datenblatt
HUF76619D3/D3S.pdf
vorrätig: 4300

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Spezifikation

HUF76619D3S Tech -Spezifikationen
onsemi - HUF76619D3S Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - HUF76619D3S

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±16V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-252AA  
Serie UltraFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 85mOhm @ 18A, 10V  
Verlustleistung (max) 75W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 767 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 29 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 18A (Tc)  
Grundproduktnummer HUF76  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi HUF76619D3S.

Produkteigenschaften HUF76619D3S HUF76609D3S HUF76609D3ST HUF76629D3S
Artikelnummer HUF76619D3S HUF76609D3S HUF76609D3ST HUF76629D3S
Hersteller onsemi onsemi onsemi onsemi
Paket Tube Tube Tape & Reel (TR) Tube
Supplier Device-Gehäuse TO-252AA TO-252AA TO-252AA TO-252AA
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA
Verlustleistung (max) 75W (Tc) 49W (Tc) 49W (Tc) 110W (Tc)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 767 pF @ 25 V 425 pF @ 25 V 425 pF @ 25 V 1285 pF @ 25 V
Vgs (Max) ±16V ±16V ±16V ±16V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V 100 V 100 V 100 V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
FET-Merkmal - - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 85mOhm @ 18A, 10V 160mOhm @ 10A, 10V 160mOhm @ 10A, 10V 52mOhm @ 20A, 10V
Grundproduktnummer HUF76 HUF76 HUF76609 HUF76
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 29 nC @ 10 V 16 nC @ 10 V 16 nC @ 10 V 46 nC @ 10 V
Serie UltraFET™ UltraFET™ UltraFET™ UltraFET™
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 18A (Tc) 10A (Tc) 10A (Tc) 20A (Tc)

HUF76619D3S Datenblatt PDF

Laden Sie HUF76619D3S PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für HUF76619D3S - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Datenblätter
HUF76619D3/D3S.pdf

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(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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