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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelHUF76645P3
HUF76645P3 Image
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HUF76645P3 - onsemi

Hersteller Artikelnummer
HUF76645P3
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-HUF76645P3
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 75A TO220-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3
Datenblatt
TO220B03 Pkg Drawing.pdf
HUF76645P3, HUF76645S3S.pdf
vorrätig: 3680

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Spezifikation

HUF76645P3 Tech -Spezifikationen
onsemi - HUF76645P3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - HUF76645P3

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±16V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220-3  
Serie UltraFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 14mOhm @ 75A, 10V  
Verlustleistung (max) 310W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4400 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 153 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 75A (Tc)  
Grundproduktnummer HUF76  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi HUF76645P3.

Produkteigenschaften HUF76645P3 HUF76639S3S HUFA75307D3S HUFA75307D3S
Artikelnummer HUF76645P3 HUF76639S3S HUFA75307D3S HUFA75307D3S
Hersteller onsemi Fairchild Semiconductor onsemi Fairchild Semiconductor
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Paket Tube Tube Tube Tube
FET-Merkmal - - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 14mOhm @ 75A, 10V 26mOhm @ 51A, 10V 90mOhm @ 15A, 10V 90mOhm @ 15A, 10V
Supplier Device-Gehäuse TO-220-3 D2PAK (TO-263) TO-252AA TO-252, (D-Pak)
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Grundproduktnummer HUF76 - HUFA75 -
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Verlustleistung (max) 310W (Tc) 180W (Tc) 45W (Tc) 45W (Tc)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 153 nC @ 10 V 86 nC @ 10 V 20 nC @ 20 V 20 nC @ 20 V
Vgs (Max) ±16V ±16V ±20V ±20V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 75A (Tc) 51A (Tc) 15A (Tc) 15A (Tc)
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V 100 V 55 V 55 V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4400 pF @ 25 V 2400 pF @ 25 V 250 pF @ 25 V 250 pF @ 25 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 10V 10V
Befestigungsart Through Hole Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Serie UltraFET™ UltraFET™ UltraFET™ UltraFET™

HUF76645P3 Datenblatt PDF

Laden Sie HUF76645P3 PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für HUF76645P3 - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi RoHS.pdf
Datenblätter
TO220B03 Pkg Drawing.pdf HUF76645P3, HUF76645S3S.pdf

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(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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