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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelHUF76645S3S
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HUF76645S3S - onsemi

Hersteller Artikelnummer
HUF76645S3S
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-HUF76645S3S
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Datenblatt
HUF76645P3, HUF76645S3S.pdf
vorrätig: 4770

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Spezifikation

HUF76645S3S Tech -Spezifikationen
onsemi - HUF76645S3S Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - HUF76645S3S

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±16V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse D²PAK (TO-263)  
Serie UltraFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 14mOhm @ 75A, 10V  
Verlustleistung (max) 310W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4400 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 153 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 75A (Tc)  
Grundproduktnummer HUF76  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi HUF76645S3S.

Produkteigenschaften HUF76645S3S HUFA75307P3 HUFA75307T3ST HUFA75307P3
Artikelnummer HUF76645S3S HUFA75307P3 HUFA75307T3ST HUFA75307P3
Hersteller onsemi Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor onsemi
Grundproduktnummer HUF76 - HUFA75307 HUFA75
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Verlustleistung (max) 310W (Tc) 45W (Tc) 1.1W (Ta) 45W (Tc)
Vgs (Max) ±16V ±20V ±20V ±20V
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3 TO-261-4, TO-261AA TO-220-3
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 10V 10V 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Paket Tube Tube Bulk Tube
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 75A (Tc) 15A (Tc) 2.6A (Ta) 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 14mOhm @ 75A, 10V 90mOhm @ 15A, 10V 90mOhm @ 2.6A, 10V 90mOhm @ 15A, 10V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4400 pF @ 25 V 250 pF @ 25 V 250 pF @ 25 V 250 pF @ 25 V
Supplier Device-Gehäuse D²PAK (TO-263) TO-220-3 SOT-223-4 TO-220-3
FET-Merkmal - - - -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 153 nC @ 10 V 20 nC @ 20 V 17 nC @ 20 V 20 nC @ 20 V
Befestigungsart Surface Mount Through Hole Surface Mount Through Hole
Serie UltraFET™ UltraFET™ Automotive, AEC-Q101, UltraFET™ UltraFET™
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V 55 V 55 V 55 V

HUF76645S3S Datenblatt PDF

Laden Sie HUF76645S3S PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für HUF76645S3S - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Datenblätter
HUF76645P3, HUF76645S3S.pdf

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  2. Verwenden Sie unser Konto für die Sendung.In der folgenden Tabelle finden Sie die ungefähren Gebühren.
(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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    +00852 9146 4856

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