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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelHUFA75307P3
HUFA75307P3 Image
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HUFA75307P3 - onsemi

Hersteller Artikelnummer
HUFA75307P3
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-HUFA75307P3
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 55V 15A TO220-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3
Datenblatt
TO220B03 Pkg Drawing.pdf
HUFA75307P3/D3/D3S.pdf
vorrätig: 4960

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Spezifikation

HUFA75307P3 Tech -Spezifikationen
onsemi - HUFA75307P3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - HUFA75307P3

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220-3  
Serie UltraFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 90mOhm @ 15A, 10V  
Verlustleistung (max) 45W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 250 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20 nC @ 20 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 55 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 15A (Tc)  
Grundproduktnummer HUFA75  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi HUFA75307P3.

Produkteigenschaften HUFA75307P3 HUF76645S3S HUFA75307P3 HUFA75307D3ST
Artikelnummer HUFA75307P3 HUF76645S3S HUFA75307P3 HUFA75307D3ST
Hersteller onsemi Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 15A (Tc) 75A (Tc) 15A (Tc) 15A (Tc)
Grundproduktnummer HUFA75 - - -
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Verlustleistung (max) 45W (Tc) 310W (Tc) 45W (Tc) 45W (Tc)
Paket Tube Tube Tube Bulk
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20 nC @ 20 V 153 nC @ 10 V 20 nC @ 20 V 20 nC @ 20 V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 250 pF @ 25 V 4400 pF @ 25 V 250 pF @ 25 V 250 pF @ 25 V
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 3V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
FET-Merkmal - - - -
Vgs (Max) ±20V ±16V ±20V ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 4.5V, 10V 10V 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 55 V 100 V 55 V 55 V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Befestigungsart Through Hole Surface Mount Through Hole Surface Mount
Serie UltraFET™ UltraFET™ UltraFET™ UltraFET™
Supplier Device-Gehäuse TO-220-3 D2PAK (TO-263) TO-220-3 TO-252, (D-Pak)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 90mOhm @ 15A, 10V 14mOhm @ 75A, 10V 90mOhm @ 15A, 10V 90mOhm @ 15A, 10V

HUFA75307P3 Datenblatt PDF

Laden Sie HUFA75307P3 PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für HUFA75307P3 - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi RoHS.pdf
Datenblätter
TO220B03 Pkg Drawing.pdf HUFA75307P3/D3/D3S.pdf

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(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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