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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-Bipolar (BJT)-EinzelMJD117-1G
MJD117-1G Image
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MJD117-1G - onsemi

Hersteller Artikelnummer
MJD117-1G
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-MJD117-1G
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
TRANS PNP DARL 100V 2A IPAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Datenblatt
MJD112,117.pdf
RoHS Status
vorrätig: 34590

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Anzahl

Spezifikation

MJD117-1G Tech -Spezifikationen
onsemi - MJD117-1G Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - MJD117-1G

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 100 V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 3V @ 40mA, 4A  
Transistor-Typ PNP - Darlington  
Supplier Device-Gehäuse I-PAK  
Serie -  
Leistung - max 1.75 W  
Verpackung / Gehäuse TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Paket Tube  
Betriebstemperatur -65°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Frequenz - Übergang 25MHz  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 1000 @ 2A, 3V  
Strom - Collector Cutoff (Max) 20µA  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 2 A  
Grundproduktnummer MJD117  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi MJD117-1G.

Produkteigenschaften MJD117-1G MJD117-TP MJD112TF MJD117T4
Artikelnummer MJD117-1G MJD117-TP MJD112TF MJD117T4
Hersteller onsemi Micro Commercial Co Fairchild Semiconductor onsemi
Verpackung / Gehäuse TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Grundproduktnummer MJD117 MJD117 MJD11 MJD11
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 100 V 100 V 100 V 100 V
Strom - Collector Cutoff (Max) 20µA 10nA 20µA 20µA
Transistor-Typ PNP - Darlington PNP NPN - Darlington PNP - Darlington
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 3V @ 40mA, 4A 3V @ 40mA, 4A 3V @ 40mA, 4A 2V @ 8mA, 2A
Befestigungsart Through Hole Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperatur -65°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) -65°C ~ 150°C (TJ)
Supplier Device-Gehäuse I-PAK D-Pak D-Pak DPAK
Frequenz - Übergang 25MHz 25MHz 25MHz 25MHz
Leistung - max 1.75 W 1.75 W 1.75 W 20 W
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 1000 @ 2A, 3V 1000 @ 2A, 3V 1000 @ 2A, 3V 1000 @ 2A, 3V
Serie - - - -
Paket Tube Tape & Reel (TR) Bulk Cut Tape (CT)
Strom - Kollektor (Ic) (max) 2 A 2 A 2 A 2 A

MJD117-1G Datenblatt PDF

Laden Sie MJD117-1G PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für MJD117-1G - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Obsolete Notice 15/Dec/2022.pdf
Datenblätter
MJD112,117.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Devices 29/Aug/2017.pdf

Lieferung

Lieferzeit

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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    +00852 9146 4856

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