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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-Bipolar (BJT)-EinzelMJD112T4
MJD112T4 Image
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MJD112T4 - onsemi

Hersteller Artikelnummer
MJD112T4
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-MJD112T4
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
TRANS DARL NPN 2A 100V DPAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Datenblatt
MJD112,117.pdf
vorrätig: 5470

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Anzahl

Spezifikation

MJD112T4 Tech -Spezifikationen
onsemi - MJD112T4 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - MJD112T4

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 100 V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 2V @ 8mA, 2A  
Transistor-Typ NPN - Darlington  
Supplier Device-Gehäuse DPAK  
Serie -  
Leistung - max 20 W  
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Paket Cut Tape (CT)  
Betriebstemperatur -65°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Frequenz - Übergang 25MHz  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 1000 @ 2A, 3V  
Strom - Collector Cutoff (Max) 20µA  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 2 A  
Grundproduktnummer MJD11  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi MJD112T4.

Produkteigenschaften MJD112T4 MJD112-1G MJD112TF MJD112T4
Artikelnummer MJD112T4 MJD112-1G MJD112TF MJD112T4
Hersteller onsemi onsemi Fairchild Semiconductor STMicroelectronics
Paket Cut Tape (CT) Tube Bulk Tape & Reel (TR)
Leistung - max 20 W 1.75 W 1.75 W 20 W
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 100 V 100 V 100 V 100 V
Strom - Collector Cutoff (Max) 20µA 20µA 20µA 20µA
Betriebstemperatur -65°C ~ 150°C (TJ) -65°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Strom - Kollektor (Ic) (max) 2 A 2 A 2 A 2 A
Frequenz - Übergang 25MHz 25MHz 25MHz 25MHz
Befestigungsart Surface Mount Through Hole Surface Mount Surface Mount
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 2V @ 8mA, 2A 3V @ 40mA, 4A 3V @ 40mA, 4A 3V @ 40mA, 4A
Grundproduktnummer MJD11 MJD112 MJD11 MJD112
Supplier Device-Gehäuse DPAK I-PAK D-Pak DPAK
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 1000 @ 2A, 3V 1000 @ 2A, 3V 1000 @ 2A, 3V 1000 @ 2A, 3V
Transistor-Typ NPN - Darlington NPN - Darlington NPN - Darlington NPN - Darlington
Serie - - - -

MJD112T4 Datenblatt PDF

Laden Sie MJD112T4 PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für MJD112T4 - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Multiple Devices 21/Jan/2010.pdf
Datenblätter
MJD112,117.pdf

Lieferung

Lieferzeit

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Versandart

  1. Globale gemeinsame Versand von DHL / UPS / FEDEX / TNT / EMS / SF, die wir unterstützen.
  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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MJD112T4

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