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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-Bipolar (BJT)-EinzelMJD112T4
MJD112T4 Image
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MJD112T4 - STMicroelectronics

Hersteller Artikelnummer
MJD112T4
Hersteller
STMicroelectronics
Allelco Artikelnummer
32D-MJD112T4
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Datenblatt
MJD11x.pdf
RoHS Status
vorrätig: 126820

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Anzahl

Spezifikation

MJD112T4 Tech -Spezifikationen
STMicroelectronics - MJD112T4 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie STMicroelectronics - MJD112T4

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller STMicroelectronics  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 100 V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 3V @ 40mA, 4A  
Transistor-Typ NPN - Darlington  
Supplier Device-Gehäuse DPAK  
Serie -  
Leistung - max 20 W  
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Paket Tape & Reel (TR)  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Frequenz - Übergang 25MHz  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 1000 @ 2A, 3V  
Strom - Collector Cutoff (Max) 20µA  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 2 A  
Grundproduktnummer MJD112  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie STMicroelectronics MJD112T4.

Produkteigenschaften MJD112T4 MJD112-1G MJD112TF MJD112G
Artikelnummer MJD112T4 MJD112-1G MJD112TF MJD112G
Hersteller STMicroelectronics onsemi Fairchild Semiconductor onsemi
Serie - - - -
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 3V @ 40mA, 4A 3V @ 40mA, 4A 3V @ 40mA, 4A 3V @ 40mA, 4A
Strom - Kollektor (Ic) (max) 2 A 2 A 2 A 2 A
Grundproduktnummer MJD112 MJD112 MJD11 MJD112
Transistor-Typ NPN - Darlington NPN - Darlington NPN - Darlington NPN - Darlington
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 100 V 100 V 100 V 100 V
Betriebstemperatur 150°C (TJ) -65°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) -65°C ~ 150°C (TJ)
Paket Tape & Reel (TR) Tube Bulk Tube
Frequenz - Übergang 25MHz 25MHz 25MHz 25MHz
Strom - Collector Cutoff (Max) 20µA 20µA 20µA 20µA
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 1000 @ 2A, 3V 1000 @ 2A, 3V 1000 @ 2A, 3V 1000 @ 2A, 3V
Supplier Device-Gehäuse DPAK I-PAK D-Pak DPAK
Leistung - max 20 W 1.75 W 1.75 W 1.75 W
Befestigungsart Surface Mount Through Hole Surface Mount Surface Mount

MJD112T4 Datenblatt PDF

Laden Sie MJD112T4 PDF -Datenblätter und STMicroelectronics -Dokumentation für MJD112T4 - STMicroelectronics herunter.

PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Devices 27/Feb/2019.pdf
Datenblätter
MJD11x.pdf

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  2. Verwenden Sie unser Konto für die Sendung.In der folgenden Tabelle finden Sie die ungefähren Gebühren.
(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
Die obige Tabelle dient nur als Referenz.Möglicherweise gibt es einige Datenverzerrungen für die unkontrollierbaren Faktoren.
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mögliche Zahlungsmitteln

Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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  1. Telefon
    +00852 9146 4856

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MJD112T4

STMicroelectronics
32D-MJD112T4

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