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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelNDF04N60ZH
NDF04N60ZH Image
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NDF04N60ZH - onsemi

Hersteller Artikelnummer
NDF04N60ZH
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-NDF04N60ZH
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 4.8A TO220FP
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3 Full Pack
Datenblatt
NDx04N60Z.pdf
vorrätig: 4270

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Anzahl

Spezifikation

NDF04N60ZH Tech -Spezifikationen
onsemi - NDF04N60ZH Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - NDF04N60ZH

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 50µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220-2 Full Pack  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2Ohm @ 2A, 10V  
Verlustleistung (max) 30W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 640 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 29 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 4.8A (Tc)  
Grundproduktnummer NDF04  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi NDF04N60ZH.

Produkteigenschaften NDF04N60ZH NDF02N60ZH NDF08N60ZG NDF08N60ZH
Artikelnummer NDF04N60ZH NDF02N60ZH NDF08N60ZG NDF08N60ZH
Hersteller onsemi onsemi onsemi onsemi
FET-Merkmal - - - -
Verlustleistung (max) 30W (Tc) 24W (Tc) 36W (Tc) 36W (Tc)
Paket Tube Tube Tube Tube
Serie - - - -
Grundproduktnummer NDF04 NDF02 NDF08 NDF08
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 640 pF @ 25 V 325 pF @ 25 V 1140 pF @ 25 V 1370 pF @ 25 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2Ohm @ 2A, 10V 4.8Ohm @ 1A, 10V 950mOhm @ 3.5A, 10V 950mOhm @ 3.5A, 10V
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 29 nC @ 10 V 16 nC @ 10 V 39 nC @ 10 V 58 nC @ 10 V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 4.8A (Tc) 2.4A (Tc) 8.4A (Tc) 8.4A (Tc)
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 50µA 4.5V @ 50µA 4.5V @ 100µA 4.5V @ 100µA
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±30V
Supplier Device-Gehäuse TO-220-2 Full Pack TO-220-2 Full Pack TO-220FP TO-220-2 Full Pack
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V 600 V 600 V 600 V

NDF04N60ZH Datenblatt PDF

Laden Sie NDF04N60ZH PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für NDF04N60ZH - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Devices 01/Sep/2017.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Assembly/Test Site Revision 12/Nov/2014.pdf
Datenblätter
NDx04N60Z.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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