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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelNDF05N50ZG
onsemi
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

NDF05N50ZG - onsemi

Hersteller Artikelnummer
NDF05N50ZG
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-NDF05N50ZG
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 500V 5.5A TO220FP
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3 Full Pack
Datenblatt
NDF,NDD05N50Z.pdf
vorrätig: 3750

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Anzahl

Spezifikation

NDF05N50ZG Tech -Spezifikationen
onsemi - NDF05N50ZG Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - NDF05N50ZG

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 50µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220FP  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.5Ohm @ 2.2A, 10V  
Verlustleistung (max) 30W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 632 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 28 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 500 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 5.5A (Tc)  
Grundproduktnummer NDF05  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi NDF05N50ZG.

Produkteigenschaften NDF05N50ZG NDF02N60ZH NDF04N60ZH NDF08N50ZG
Artikelnummer NDF05N50ZG NDF02N60ZH NDF04N60ZH NDF08N50ZG
Hersteller onsemi onsemi onsemi onsemi
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.5Ohm @ 2.2A, 10V 4.8Ohm @ 1A, 10V 2Ohm @ 2A, 10V 850mOhm @ 3.6A, 10V
Supplier Device-Gehäuse TO-220FP TO-220-2 Full Pack TO-220-2 Full Pack TO-220FP
Grundproduktnummer NDF05 NDF02 NDF04 NDF08
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 5.5A (Tc) 2.4A (Tc) 4.8A (Tc) 8.5A (Tc)
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±30V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 28 nC @ 10 V 16 nC @ 10 V 29 nC @ 10 V 46 nC @ 10 V
Paket Tube Tube Tube Tube
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 632 pF @ 25 V 325 pF @ 25 V 640 pF @ 25 V 1095 pF @ 25 V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 500 V 600 V 600 V 500 V
Serie - - - -
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 50µA 4.5V @ 50µA 4.5V @ 50µA 4.5V @ 100µA
FET-Merkmal - - - -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Verlustleistung (max) 30W (Tc) 24W (Tc) 30W (Tc) 35W (Tc)
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole

NDF05N50ZG Datenblatt PDF

Laden Sie NDF05N50ZG PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für NDF05N50ZG - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Devices 01/Sep/2017.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Qualification Assembly/Test Site 25/Sep/2014.pdf
Datenblätter
NDF,NDD05N50Z.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
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Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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