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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelNDP7060
NDP7060 Image
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NDP7060 - onsemi

Hersteller Artikelnummer
NDP7060
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-NDP7060
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 75A TO220-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3
Datenblatt
TO220B03 Pkg Drawing.pdf
NDP7060, NDB7060.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4420

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Spezifikation

NDP7060 Tech -Spezifikationen
onsemi - NDP7060 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - NDP7060

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220-3  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13mOhm @ 40A, 10V  
Verlustleistung (max) 150W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -65°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3600 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 115 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 75A (Tc)  
Grundproduktnummer NDP706  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi NDP7060.

Produkteigenschaften NDP7060 NDP7050 NDPL180N10BG NDP7060
Artikelnummer NDP7060 NDP7050 NDPL180N10BG NDP7060
Hersteller onsemi onsemi onsemi Fairchild Semiconductor
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3600 pF @ 25 V 3600 pF @ 25 V 6950 pF @ 50 V 3600 pF @ 25 V
Betriebstemperatur -65°C ~ 175°C (TJ) -65°C ~ 175°C (TJ) 175°C (TJ) -65°C ~ 175°C (TJ)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V, 15V 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13mOhm @ 40A, 10V 13mOhm @ 40A, 10V 3mOhm @ 15V, 50A 13mOhm @ 40A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 115 nC @ 10 V 115 nC @ 10 V 95 nC @ 10 V 115 nC @ 10 V
Paket Tube Tube Tube Bulk
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 75A (Tc) 75A (Tc) 180A (Ta) 75A (Tc)
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Supplier Device-Gehäuse TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Verlustleistung (max) 150W (Tc) 150W (Tc) 2.1W (Ta), 200W (Tc) 150W (Tc)
FET-Merkmal - - - -
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 1mA 4V @ 250µA
Grundproduktnummer NDP706 NDP705 NDPL18 -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V 50 V 100 V 60 V
Serie - - - -
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel

NDP7060 Datenblatt PDF

Laden Sie NDP7060 PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für NDP7060 - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Logo 17/Aug/2017.pdf
PCN -Verpackung
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014.pdf
Datenblätter
TO220B03 Pkg Drawing.pdf NDP7060, NDB7060.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Dev EOL 24/Dec/2021.pdf Mult Dev EOL 14/Jan/2022.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Dev Asembly Chg 7/May/2020.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
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Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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