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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelNDP7061
NDP7061 Image
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NDP7061 - onsemi

Hersteller Artikelnummer
NDP7061
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-NDP7061
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 64A TO220-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3
Datenblatt
TO220B03 Pkg Drawing.pdf
NDP7061, NDB7061.pdf
vorrätig: 5490

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Spezifikation

NDP7061 Tech -Spezifikationen
onsemi - NDP7061 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - NDP7061

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220-3  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 16mOhm @ 35A, 10V  
Verlustleistung (max) 130W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -65°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1930 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 100 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 64A (Tc)  
Grundproduktnummer NDP706  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi NDP7061.

Produkteigenschaften NDP7061 NDP7060 NDP7061 NDP6060L
Artikelnummer NDP7061 NDP7060 NDP7061 NDP6060L
Hersteller onsemi Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor onsemi
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 100 nC @ 10 V 115 nC @ 10 V 100 nC @ 10 V 60 nC @ 5 V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V 60 V 60 V 60 V
Verlustleistung (max) 130W (Tc) 150W (Tc) 130W (Tc) 100W (Tc)
FET-Merkmal - - - -
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±16V
Paket Tube Bulk Tube Tube
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Supplier Device-Gehäuse TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Grundproduktnummer NDP706 - - NDP6060
Betriebstemperatur -65°C ~ 175°C (TJ) -65°C ~ 175°C (TJ) -65°C ~ 175°C (TJ) -65°C ~ 175°C (TJ)
Serie - - - -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 5V, 10V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 64A (Tc) 75A (Tc) 64A (Tc) 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 16mOhm @ 35A, 10V 13mOhm @ 40A, 10V 16mOhm @ 35A, 10V 20mOhm @ 24A, 10V
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 2V @ 250µA
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1930 pF @ 25 V 3600 pF @ 25 V 1930 pF @ 25 V 2000 pF @ 25 V

NDP7061 Datenblatt PDF

Laden Sie NDP7061 PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für NDP7061 - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Datenblätter
TO220B03 Pkg Drawing.pdf NDP7061, NDB7061.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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