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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelNDPL180N10BG
NDPL180N10BG Image
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NDPL180N10BG - onsemi

Hersteller Artikelnummer
NDPL180N10BG
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-NDPL180N10BG
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 180A TO220-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3
Datenblatt
NDPL180N10BG.pdf
vorrätig: 4110

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Spezifikation

NDPL180N10BG Tech -Spezifikationen
onsemi - NDPL180N10BG Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - NDPL180N10BG

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220-3  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3mOhm @ 15V, 50A  
Verlustleistung (max) 2.1W (Ta), 200W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 6950 pF @ 50 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 95 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V, 15V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 180A (Ta)  
Grundproduktnummer NDPL18  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi NDPL180N10BG.

Produkteigenschaften NDPL180N10BG NDP7061 NDP6060L NDP7060
Artikelnummer NDPL180N10BG NDP7061 NDP6060L NDP7060
Hersteller onsemi onsemi Fairchild Semiconductor onsemi
Verlustleistung (max) 2.1W (Ta), 200W (Tc) 130W (Tc) 100W (Tc) 150W (Tc)
Supplier Device-Gehäuse TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
FET-Merkmal - - - -
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 180A (Ta) 64A (Tc) 48A (Tc) 75A (Tc)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±16V ±20V
Betriebstemperatur 175°C (TJ) -65°C ~ 175°C (TJ) -65°C ~ 175°C (TJ) -65°C ~ 175°C (TJ)
Paket Tube Tube Bulk Tube
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3mOhm @ 15V, 50A 16mOhm @ 35A, 10V 20mOhm @ 24A, 10V 13mOhm @ 40A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 95 nC @ 10 V 100 nC @ 10 V 60 nC @ 5 V 115 nC @ 10 V
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V, 15V 10V 5V, 10V 10V
Serie - - - -
Grundproduktnummer NDPL18 NDP706 - NDP706
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA 4V @ 250µA 2V @ 250µA 4V @ 250µA
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 6950 pF @ 50 V 1930 pF @ 25 V 2000 pF @ 25 V 3600 pF @ 25 V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V 60 V 60 V 60 V

NDPL180N10BG Datenblatt PDF

Laden Sie NDPL180N10BG PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für NDPL180N10BG - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Devices 28/Apr/2017.pdf

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  2. Verwenden Sie unser Konto für die Sendung.In der folgenden Tabelle finden Sie die ungefähren Gebühren.
(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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    +00852 9146 4856

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