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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysNTHD4502NT1
NTHD4502NT1 Image
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NTHD4502NT1 - onsemi

Hersteller Artikelnummer
NTHD4502NT1
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-NTHD4502NT1
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET 2N-CH 30V 2.2A CHIPFET
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-SMD, Flat Lead
Datenblatt
NTHD4502N.pdf
vorrätig: 4040

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Spezifikation

NTHD4502NT1 Tech -Spezifikationen
onsemi - NTHD4502NT1 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - NTHD4502NT1

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse ChipFET™  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 85mOhm @ 2.9A, 10V  
Leistung - max 640mW  
Verpackung / Gehäuse 8-SMD, Flat Lead  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 140pF @ 15V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7nC @ 10V  
FET-Merkmal Logic Level Gate  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 2.2A  
Konfiguration 2 N-Channel (Dual)  
Grundproduktnummer NTHD4502  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi NTHD4502NT1.

Produkteigenschaften NTHD4502NT1 NTHD4102PT1G NTHD3102CT1G NTHD4508NT1G
Artikelnummer NTHD4502NT1 NTHD4102PT1G NTHD3102CT1G NTHD4508NT1G
Hersteller onsemi onsemi onsemi onsemi
Serie - - - -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 140pF @ 15V 750pF @ 16V 510pF @ 10V 180pF @ 10V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 2.2A 2.9A 4A, 3.1A 3A
Grundproduktnummer NTHD4502 NTHD4102 NTHD3102 NTHD4508
Rds On (Max) @ Id, Vgs 85mOhm @ 2.9A, 10V 80mOhm @ 2.9A, 4.5V 45mOhm @ 4.4A, 4.5V 75mOhm @ 3.1A, 4.5V
FET-Merkmal Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
Verpackung / Gehäuse 8-SMD, Flat Lead 8-SMD, Flat Lead 8-SMD, Flat Lead 8-SMD, Flat Lead
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Supplier Device-Gehäuse ChipFET™ ChipFET™ ChipFET™ ChipFET™
Leistung - max 640mW 1.1W 1.1W 1.13W
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7nC @ 10V 8.6nC @ 4.5V 7.9nC @ 4.5V 4nC @ 4.5V
Konfiguration 2 N-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual) N and P-Channel 2 N-Channel (Dual)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V 20V 20V 20V
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 1.5V @ 250µA 1.2V @ 250µA 1.2V @ 250µA

NTHD4502NT1 Datenblatt PDF

Laden Sie NTHD4502NT1 PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für NTHD4502NT1 - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Datenblätter
NTHD4502N.pdf

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(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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Kontaktieren Sie uns, wenn Sie Fragen haben.

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Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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  1. Telefon
    +00852 9146 4856

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